[發明專利]光電轉換裝置的制造方法及光電轉換裝置

無效

• 申請號: 200980128810.2
• 申請日: 2009-10-02
• 公開（公告）號: CN102105991A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 宇田和孝;馬場智義;石出孝;川添浩平;西宮立享
• 申請（專利權）人: 三菱重工業株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李貴亮

1.一種光電轉換裝置的制造方法，包括：

制膜以硅為主成分的第一光電轉換層的第一光電轉換層制膜工序；

在所述第一光電轉換層上制膜對該第一光電轉換層進行電連接及光學連接的中間接觸層的中間接觸層制膜工序；

照射激光，除去所述中間接觸層，并形成到達所述第一光電轉換層的中間接觸層分離槽而將該中間接觸層分離的中間接觸層分離工序；

制膜第二光電轉換層的第二光電轉換層制膜工序，該第二光電轉換層在所述中間接觸層上及所述中間接觸層分離槽內對該中間接觸層進行電連接及光學連接且以硅為主成分，

其中，

所述第一光電轉換層由i層、隔著該i層制膜的p層及n層構成，

所述中間接觸層分離工序以在所述第一光電轉換層的所述i層形成終端的方式形成所述中間接觸層分離槽。

2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，

所述中間接觸層分離槽的終端位置為所述i層的膜厚方向上的大致中間位置。

3.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，

所述中間接觸層分離槽的終端位置通過調整所述脈沖激光器的表示每單位面積輸出的功率密度而決定。

4.一種光電轉換裝置，具備：

以硅為主成分的第一光電轉換層；

對該第一光電轉換層進行電連接及光學連接的中間接觸層；

對該中間接觸層進行電連接及光學連接且以硅為主成分的第二光電轉換層，

所述光電轉換裝置以分離所述中間接觸層的方式形成有中間接觸層分離槽，該中間接觸層分離槽貫通該中間接觸層且到達所述第一光電轉換層，

其中，

所述第一光電轉換層由i層、隔著該i層制膜的p層及n層構成，

所述中間接觸層分離槽在所述第一光電轉換層的所述i層形成終端。

5.根據權利要求4所述的光電轉換裝置，其中，

所述中間接觸層分離槽的終端位置為所述i層的膜厚方向上的大致中間位置。