[發明專利]生長薄膜的方法以及形成結構的方法和器件

有效

• 申請號: 200980128672.8
• 申請日: 2009-07-24
• 公開（公告）號: CN102105963A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 克里斯蒂安·郎;詹姆斯·黃英俊;托馬斯·海因茨-海爾姆特·阿爾特巴梅爾;斯蒂芬·戴;喬納森·漢夫納恩
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種生長薄膜的方法，所述方法包括：

通過在襯底上共形地形成至少一個層來生長薄膜，所述襯底具有從襯底的表面伸出的結構，從而每個共形層形成在襯底的表面上和從所述表面伸出的結構上；

其中，共形層的厚度或共形層的厚度之和至少是結構的平均間隔的二分之一；并且

設置結構的長度、結構的平均間隔以及結構的最小尺寸的大小中的至少一個，以針對每個共形層提供提高的生長速率。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，結構之間在與襯底平行的方向上的平均間隔小于結構的長度。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，結構具有均勻或實質上均勻的間距。

4.根據權利要求1、2或3所述的方法，其中，結構具有均勻或實質上均勻的長度。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的方法，其中，結構彼此相同或實質上相同。

6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的方法，其中，結構的長度h滿足：

xh≥d

其中d是填充結構之間的容積所需的薄膜的最小厚度，x是所述至少一個層的形成的共形度。

7.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，其中，結構是伸長的一維結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，結構的橫截面近似是圓形，其中r是結構的直徑的二分之一。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其中，結構是納米線或納米棒。

10.根據權利要求1至6中任一項權利要求所述的方法，其中，結構是平面結構。

11.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，其中，結構與襯底的平面的法線成45°或更小的角度。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，結構與襯底的平面的法線成20°或更小的角度。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，結構與襯底的平面的法線成5°或更小的角度。

14.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，包括形成所述結構。

15.根據權利要求14所述的方法，包括：通過去除型工藝來形成所述結構。

16.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，包括：在所述表面上和在所述結構上形成至少兩個共形層。

17.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，還包括將薄膜的上表面平面化。

18.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，還包括：在生長薄膜之后，使一個或更多個結構外露。

19.根據權利要求18所述的方法，還包括：去除所述一個或多個結構。

20.根據權利要求19所述的方法，還包括：將具有不同材料成分的一種或多種材料布置到結構的通過去除所述一個或多個結構而得到的容積中。

21.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，還包括：在薄膜的上表面上形成另一層。

22.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，其中，所述共形層構成器件的有源區。

23.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，其中，所述共形層或至少一個共形層包括導體或半導體。

24.根據權利要求23所述的方法，其中，所述共形層或至少一個共形層包括由以下元素組成的組中的至少一種元素：Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ半導體、Ⅱ-Ⅵ半導體和C。

25.根據權利要求24所述的方法，其中，薄膜還包括導體層。

26.根據權利要求24所述的方法，其中，薄膜包括至少兩個導體層，所述至少兩個導體層中間夾著至少一個半導體層。

27.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，還包括：沉積介電材料層。

28.根據權利要求27所述的方法，其中，介電層在使用中起到抗反射涂層的作用。

29.根據權利要求27所述的方法，其中，介電層在使用中起到擴散阻擋物的作用。