[發明專利]通過使用前饋側饋以及測量單元再使用的改進度量

有效

• 申請號: 200980128500.0
• 申請日: 2009-07-16
• 公開（公告）號: CN102099906A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: M·E·阿德爾;L·波斯拉夫斯基;J·菲爾登;J·M·麥德森;R·彼得斯
• 申請（專利權）人: 恪納騰公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京嘉和天工知識產權代理事務所 11269
• 代理人: 嚴慎

1.一種用于在半導體器件制造期間進行度量的方法，所述方法包括：

a)在第一測試單元上建模第一測量，所述第一測試單元形成在部分已制造的器件的層中；

b)在所述層中的第二測試單元上執行第二測量；

c)將來自所述第二測量的信息饋送到所述第一測量的所述建模中；以及在光刻圖形已經在具有所述第一和第二測試單元的所述層上形成后，

d)使用分別來自a)和b)的信息在所述第一和第二測試單元上分別建模第三和第四測量。

2.如權利要求1所述的方法，其中a)包括在形成于所述部分已制造的器件的所述層中的所述第一測試單元上，建模臨界尺寸度量測量的步驟。

3.如權利要求1所述的方法，其中b)包括在所述層中的所述第二測試單元上執行薄膜度量測量的步驟。

4.如權利要求1所述的方法，其中c)包括將來自所述第二測量的所述信息側饋到所述第一測量的所述建模中的步驟。

5.如權利要求1所述的方法，其中d)包括建模針對疊對度量的第三測量的步驟。

6.如權利要求1所述的方法，其中d)包括建模針對臨界尺寸度量的第四測量的步驟。

7.如權利要求1所述的方法，其中d)包括前饋所述第一測試單元上的所述第一測量來在所述第一測試單元上建模所述第三測量的步驟。

8.如權利要求1所述的方法，其中d)包括前饋所述第二測試單元上的所述第二測量來在所述第二測試單元上建模所述第四測量的步驟。

9.如權利要求1所述的方法，其中d)包括側饋所述第二測試單元上的所述第四測量來在所述第一測試單元上建模所述第三測量的步驟。

10.如權利要求1所述的方法，還包括：

e)在蝕刻已經在所述層上進行后，在所述層中的所述第二測試單元上建模第五測量；

f)在所述層中的第三測試單元上執行第六測量；

g)將來自所述第六測量的信息饋送到所述第五測量的所述建模中；以及在第二光刻圖形已經在具有所述第一、第二、第三測試單元的所述層上形成后，

H)使用分別來自f)和g)的信息在所述第二和第三測試單元上分別建模第七和第八測量。

11.如權利要求10所述的方法，其中e)包括在所述第二測試單元上建模臨界尺寸度量測量的步驟。

12.如權利要求10所述的方法，其中f)包括在所述第三測試單元上執行薄膜度量測量的步驟。

13.如權利要求10所述的方法，其中g)包括將來自所述第六測量的信息側饋到所述第五測量的所述建模中。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述第七測量為疊對度量測量。

15.如權利要求10所述的方法，其中所述第八測量為臨界尺寸度量測量。

16.如權利要求10所述的方法，其中h)包括前饋所述第二測試單元上的所述第五測量來在所述第二測試單元上建模所述第七測量的步驟。

17.如權利要求10所述的方法，其中h)包括前饋所述第三測試單元上的所述第六測量來在所述第三測試單元上建模所述第八測量的步驟。

18.如權利要求10所述的方法，其中h)包括側饋所述第三測試單元上的所述第八測量側來在所述第二測試單元上建模所述第七測量的步驟。

19.如權利要求10所述的方法，還包括使用來自所述第六測量的信息在所述層中的第四測試單元上建模第九測量的步驟。

20.如權利要求10所述的方法，其中所述第三測試單元包括成像目標。

21.如權利要求20所述的方法，其中在第四測試單元上建模第九測量包括前饋所述第三測試單元上的所述第六測量的步驟。

22.如權利要求20所述的方法，其中在第四測試單元上建模第九測量包括側饋所述第三測試單元上的所述第八測量的步驟。