[發(fā)明專利]用于建筑密封件的密封性檢測(cè)的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980128345.2
• 申請(qǐng)日: 2009-07-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102099531A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德烈亞斯·勒德?tīng)?/a>;諾貝特·科馬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普羅吉?dú)W監(jiān)控技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): E02D31/02
• 分類號(hào): E02D31/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張?zhí)焓?/td>

1.一種用于確定損壞或缺陷位置的方法，特別用于確定在隔膜式、不導(dǎo)電或僅輕微導(dǎo)電的建筑密封件(3)上的材料強(qiáng)度降低的薄弱位置，所述建筑密封件相對(duì)于空氣具有強(qiáng)絕緣強(qiáng)度并設(shè)有導(dǎo)電層(6)，所述導(dǎo)電層設(shè)置在所述建筑密封件(3)的內(nèi)部或外部，所述導(dǎo)電層基本上覆蓋整個(gè)平面地延伸經(jīng)過(guò)所述建筑密封件，并且在所述導(dǎo)電層上施加檢測(cè)電壓，其特征在于，采用另一個(gè)導(dǎo)電層(7)用以確定所述損壞、缺陷和/或薄弱位置，所述另一個(gè)導(dǎo)電層通過(guò)所述建筑密封件(3)與前述導(dǎo)電層(6)形成電隔離，并且所述另一個(gè)導(dǎo)電層基本上覆蓋整個(gè)平面地延伸經(jīng)過(guò)所述建筑密封件(3)，其中，在受到電壓沖擊的導(dǎo)電層(6、7)之間的檢測(cè)電壓的強(qiáng)度這樣選擇，即，在所述建筑密封件(3)中存在至少一個(gè)不導(dǎo)電的或僅輕微導(dǎo)電的損壞、缺陷和/或薄弱位置時(shí)，產(chǎn)生絕緣強(qiáng)度的超值，并且在損壞、缺陷和/或薄弱位置的所在處形成電火花或電弧，其中，選擇的所述檢測(cè)電壓小于破壞性檢測(cè)電壓，在所述破壞性檢測(cè)電壓作用下，在與待檢測(cè)的建筑密封件(3)相對(duì)應(yīng)的未受損的和/或未變薄弱的建筑密封件上產(chǎn)生電火花或電弧形式的電擊穿。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)電壓從零或從大于零的最小值連續(xù)或逐步增加到一個(gè)電壓值，該電壓值縮減地以一個(gè)安全值位于破壞性電壓以下，在該破壞性電壓作用下，在與待檢測(cè)的建筑密封件(3)相對(duì)應(yīng)的未受損的和/或未變薄弱的建筑密封件上產(chǎn)生電火花或電弧形式的電擊穿。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述待檢測(cè)的建筑密封件(3)在多個(gè)檢測(cè)時(shí)間段進(jìn)行檢測(cè)，其中，所述檢測(cè)電壓在每下一個(gè)檢測(cè)時(shí)間段內(nèi)增加，直至達(dá)到一個(gè)縮減地以一個(gè)安全值位于破壞性檢測(cè)電壓以下的電壓值，在所述破壞性檢測(cè)電壓作用下，在與待檢測(cè)的建筑密封件(3)相對(duì)應(yīng)的未受損的和/或未變薄弱的建筑密封件上產(chǎn)生電火花或電弧形式的電擊穿。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，這樣選擇施加在所述導(dǎo)電層上的檢測(cè)電壓，即，使該檢測(cè)電壓在每毫米待檢測(cè)的建筑密封件(3)的厚度上至少為1000伏特。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，這樣選擇施加在所述導(dǎo)電層(6、7)上的檢測(cè)電壓，即，使該檢測(cè)電壓為這樣一個(gè)電壓值的80％，在該電壓值作用下，在與待檢測(cè)的建筑密封件(3)相對(duì)應(yīng)的未受損的和/或未變薄弱的建筑密封件上產(chǎn)生電火花或電弧形式的電擊穿。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在施加在所述導(dǎo)電層上的檢測(cè)電壓作用下探測(cè)火花和/或電弧的產(chǎn)生，其中，由火花和/或電弧發(fā)出的電磁干擾信號(hào)通過(guò)探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量，和/或其中，對(duì)由火花和/或電弧產(chǎn)生的光效應(yīng)、熱輻射效應(yīng)和/或材料熱效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量和分析。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電層(6、7)之一對(duì)通過(guò)所述導(dǎo)電層(6、7)施加在待檢測(cè)的建筑密封件上的電源(8)的電壓和/或電流強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)電壓經(jīng)由至少兩個(gè)空間上相互間隔的供給位置(9、10)而施加在所述導(dǎo)電層之一(7)上，并且，在于損壞、缺陷和/或薄弱位置上的電擊穿過(guò)程中對(duì)電流或由此對(duì)應(yīng)的電學(xué)參數(shù)、特別是電壓進(jìn)行測(cè)量，而且，根據(jù)電流或?qū)?yīng)的電學(xué)參數(shù)、特別是電壓的比值而得出損壞、缺陷和/或薄弱位置的所在處。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，電壓比值的測(cè)量通過(guò)測(cè)量探頭來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述測(cè)量探頭直接與所述導(dǎo)電層之一(7)耦合。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，電壓比值的測(cè)量通過(guò)一個(gè)或多個(gè)測(cè)量探頭來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述測(cè)量探頭在沒(méi)有形成電連接的情況下間接與所述導(dǎo)電層(7)之一形成電容耦合。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，使待檢測(cè)的建筑密封件(3)分成各個(gè)檢測(cè)區(qū)段，其中，對(duì)至少一個(gè)導(dǎo)電層這樣進(jìn)行分段，以便在向所述導(dǎo)電層(6、7)的各個(gè)截段施加檢測(cè)電壓的過(guò)程中產(chǎn)生一個(gè)限定在對(duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)段上的電壓沖擊。