[發(fā)明專利]用于CVD應用的腔室部件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980128082.5 | 申請日: | 2009-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN102089863A | 公開(公告)日: | 2011-06-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | K·欣克利;Y·張;M·埃爾南德斯;W·邦;D·盧博米爾斯基 | 申請(專利權)人: | 應用材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 cvd 應用 部件 | ||
技術領域
本發(fā)明的實施例一般涉及用于化學氣相沉積(CVD)應用的腔室部件。
背景技術
在集成電路的制造中,對于達到基板中的一致結果以及基板之間的結果再現(xiàn)性來說,各種工藝參數(shù)的精確控制是必須的。在工藝過程中,改變跨越基板表面的處理氣體流動以及分布可能會對材料沉積速率、厚度、階梯覆蓋率、沉積均一性以及其它沉積參數(shù)是有害的。
在部分處理腔室中,處理氣體會蒸發(fā),并通過氣體分布器而輸送至腔室的處理區(qū)域,并反應而沉積期望材料。氣體分布器可包括一氣體入口通道,而氣體入口通道將處理氣體輸送進入噴灑頭組件,該組件具有設置在面板中間的阻隔板。處理氣體可以在導入腔室的處理區(qū)域的前進行混合。習知的氣體輸送系統(tǒng)可能不具有充足的裝置而將處理氣體蒸發(fā)、混合及/或輸送至腔室的處理區(qū)域中。無法控制處理氣體的輸送可能會對于單一基板中以及基板之間的工藝均一性、組件產量以及處理基板的總質量造成不利的影響。
因此,在該技藝中需要一種化學氣相沉積腔室中的改良式腔室部件。
發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例一般涉及用于化學氣相沉積(CVD)應用的腔室部件。本發(fā)明的實施例一般涉及用于化學氣相沉積腔室的阻隔板、混合設備以及液體蒸發(fā)設備。
在一實施例中,提供一阻隔板(blocker?plate),該阻隔板包括一環(huán)狀板,該環(huán)狀板具有一內部部分,該內部部分具有一第一厚度,且該環(huán)狀板具有一孔洞圖案,該孔洞圖案包括:一中央部分;一第一圖案部分,共中心地設置在該中央部分的周圍,并且包括數(shù)個第一孔洞,該些第一孔洞具有一第一孔洞數(shù)量;一第二圖案部分,共中心地設置在該第一圖案部分的周圍,并且包括數(shù)個第二孔洞,該些第二孔洞具有一第二孔洞數(shù)量,且該第二孔洞數(shù)量大于該第一孔洞數(shù)量;一周圍部分,共中心地設置在該第二圖案部分的周圍。該環(huán)狀板更具有一外部部分,該外部部分包括設置在該環(huán)狀板的一周邊上的一高起的(raised)共中心部分,并具有一第二厚度,該第二厚度大于該中央部分的該第一厚度。
在另一實施例中,提供包括一環(huán)狀板的一阻隔板,該環(huán)狀板具有一內部部分,該內部部分具有一第一厚度,且該環(huán)狀板具有一包括一中央部分的孔洞圖案,該中央部分包括數(shù)個孔洞,其中該些孔洞包括數(shù)個共中心環(huán)狀列,且各個該些共中心環(huán)狀列具有一介于30~150孔洞的孔洞增加數(shù)量,各個環(huán)對于該中央部分的一中心線而具有60°~270°的一偏移角度。該孔洞圖案亦包括一周圍部分,共中心地設置在該中央部分的周圍。該環(huán)狀板亦包括一外部部分,該外部部分包括設置在該環(huán)狀板的一周邊上的一高起的共中心部分,并具有一第二厚度,該第二厚度大于該內部部分的該第一厚度。
在另一實施例中,提供一阻隔板。該阻隔板包括一環(huán)狀板,且環(huán)狀板具有一內部部分,該內部部分具有一第一厚度,該環(huán)狀板具有一孔洞圖案,該孔洞圖案包括:一中央部分;一圖案部分,共中心地設置在該中央部分的周圍,并且包括數(shù)個孔洞,其中該些孔洞包括數(shù)個共中心環(huán)狀列,且各個該些共中心環(huán)狀列具有一介于16~96孔洞的孔洞改變數(shù)量,各個環(huán)對于該中央部分的一中心線而具有7°~245°的一偏移角度;一周圍部分,共中心地設置在該中央部分的周圍。該環(huán)狀板又包括一外部部分,該外部部分包括設置在該環(huán)狀板的一周邊上的一高起的共中心部分,并具有一第二厚度,該第二厚度大于該內部部分的該第一厚度。
在另一實施例中,提供一種混合設備。該混合設備包括:一圓柱狀第一部分,由一入口延伸;一第二部分,耦接至該第一部分;以及一第三部分,耦接至該第二部分,并且延伸至一出口。其中該第一部分具有一圓錐形狀,并由該入口而朝向該第二部分逐漸變細。該第三部分由該第二部分擴展至該出口。
在另一實施例中,提供一混合設備,該混合設備包括:一第一部分,由一入口延伸;一圓柱狀第二部分,耦接至該第一部分;以及一第三部分,耦接至該第二部分,并且延伸至一出口,該第三部分包括耦接至該第二部分的一擴展部分,以及耦接至該擴展部分與該出口的一圓柱狀部分,該第一部分具有一圓錐形狀,并由該入口而朝向該第二部分逐漸變細。
在另一實施例中,提供一液體蒸發(fā)設備。該液體蒸發(fā)設備包括:一蒸發(fā)器;一混合流體管路,耦接至該蒸發(fā)器;一第一流體關斷閥(shutoff?valve),設置在該蒸發(fā)器的一頂部部分上,并耦接至該混合流體管路;一第一流體管路,通過該第一流體關斷閥而耦接至該混合流體管路;一第二流體管路,耦接至該混合流體管路;以及一蒸發(fā)器關斷閥,設置而與該蒸發(fā)器為流體連通。
在另一實施例中,提供一阻隔板,該阻隔板包括具有數(shù)個孔洞的環(huán)狀板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





