1.熱電材料，包括由下式表示的硫?qū)倩锘衔铮?/p>

(A_1-aA′_a)_4-x(B_1-bB′_b)_3-y

其中A為XIII族元素，和A′為選自XIII族元素、XIV族元素、稀土元素、過(guò)渡金屬、及其組合的至少一種，其中A和A′彼此不同；

其中B為選自S、Se、Te及其組合的至少一種，和B′為選自XIV族元素、XV族元素、XVI族元素及其組合的至少一種，其中B和B′彼此不同；

其中a等于或大于0且小于1；

其中b等于或大于0且小于1；

其中x在-1和1之間；和

其中y在-1和1之間。

2.權(quán)利要求1的熱電材料，其中a和b的至少一個(gè)大于0。

3.權(quán)利要求1的熱電材料，其中x和y的至少一個(gè)不等于0。

4.權(quán)利要求1的熱電材料，其中在室溫下其絕對(duì)塞貝克系數(shù)等于或大于約220W/mK。

5.權(quán)利要求1的熱電材料，其中在約450K下其絕對(duì)塞貝克系數(shù)等于或大于約220W/mK。

6.權(quán)利要求1的熱電材料，其中x等于0。

7.權(quán)利要求1的熱電材料，其中x大于0且小于1。

8.權(quán)利要求1的熱電材料，其中y大于0且小于1。

9.權(quán)利要求1的熱電材料，其中A為In和Ga的至少一種。

10.權(quán)利要求1的熱電材料，其中所述過(guò)渡金屬為選自如下的至少一種：Y、Fe、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Hf、Ta、及其組合.

11.權(quán)利要求1的熱電材料，其中B為Se和Te的至少一種。

12.權(quán)利要求1的熱電材料，其在室溫下具有等于或小于約2W/mK的熱導(dǎo)率。

13.權(quán)利要求1的熱電材料，其密度為其理論密度的約70％～約100％。

14.權(quán)利要求1的熱電材料，其中在面內(nèi)方向上形成共價(jià)鍵，和在其相鄰層之間形成離子鍵和范德華鍵的至少一種。

15.權(quán)利要求1的熱電材料，其具有晶格畸變。

16.權(quán)利要求1的熱電材料，其具有低維導(dǎo)電性。

17.權(quán)利要求1的熱電材料，其具有單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu)之一。

18.權(quán)利要求17的熱電材料，其中所述具有單晶結(jié)構(gòu)的熱電材料是在與所述晶體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向基本上垂直的方向上切割的。

19.由以下化學(xué)式1表示的硫?qū)倩锘衔铮?/p>

(A_1-aA′_a)_4-x(B_1-bB′_b)_3-y

其中A為XIII族元素，和A′為選自XIII族元素、XIV族元素、稀土元素、過(guò)渡金屬、及其組合的至少一種，其中A和A′彼此不同；

其中B為選自S、Se、Te及其組合的至少一種，和B′為選自XIV族元素、XV族元素、XVI族元素及其組合的至少一種，其中B和B′彼此不同；

其中a等于或大于0且小于1；

其中b等于或大于0且小于1；

其中x在-1和1之間；和

其中y在-1和1之間，

其中所述硫?qū)倩锘衔锞哂芯Ц窕儭?/p>

20.權(quán)利要求19的硫?qū)倩锘衔铮湓诿鎯?nèi)方向上具有所述晶格畸變。

21.權(quán)利要求19的硫?qū)倩锘衔铮渲衳在0和1之間。

22.權(quán)利要求19的硫?qū)倩锘衔铮渲衴在0和1之間。

23.權(quán)利要求19的硫?qū)倩锘衔铮渲蠥為In和Ga的至少一種。

24.權(quán)利要求19的硫?qū)倩锘衔铮渲兴鲞^(guò)渡金屬為選自如下的至少一種：Y、Fe、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Hf、Ta、及其組合。