[發明專利]用于太陽熱能和其它應用的管內及管外表面的涂覆方法

無效

• 申請號: 200980128062.8
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN102112648A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: W·J·伯德曼;T·B·卡瑟利;D·尤帕德雅亞;K·布安那帕利;R·拉馬穆提
• 申請（專利權）人: 分之一技術公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒

1.一種涂覆至少一工件的至少一外表面的方法，所述方法包括以下步驟：

提供具有多維內表面的腔體，所述多維內表面具有相對于所述腔體的軸線的特定幾何形狀；

將所述至少一工件定位于所述腔體之內，以致于所述多維內表面和所述至少一外表面之間的間距沿著軸線方向大體上保持固定；以及

制定條件以在所述內表面和所述至少一外表面之間的所述間距內維持空心陰極效應，從而限定空心陰極效應區，所述條件包括加偏壓到在所述空心陰極效應區的相對端的陽極以及包括加偏壓到所述內表面和每一所述工件以作為陰極，其中制定所述條件還包括向所述間距之內的等離子體加壓。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述加偏壓包括將所述內表面和每一所述工件保持于共偏壓下。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：制定所述條件包括加偏壓到所述腔體的所述內表面以作為具偏壓的陰極，所述偏壓不同于施加到每一所述工件的偏壓。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：提供所述腔體包括限定所述特定幾何形狀以便具有圓形截面，所述腔體的所述軸線垂直于所述圓形截面延伸。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：將所述至少一工件定位包括沿著所述軸線將每一所述工件居中。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：提供所述腔體以及將所述至少一工件定位包括基于實現所述涂覆的目標涂覆特性來選擇所述內表面和所述至少一外表面之間的距離。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：選擇所述距離包括至少部份地基于選擇控制與上面形成有所述涂覆的每一所述外表面鄰近的等離子體的強度，從而控制影響所述涂覆特性的局部加熱。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于：選擇所述距離包括至少部份地基于選擇在偏壓下實現所述空心陰極效應，所述偏壓促進所述目標涂覆特性的實現。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述加偏壓包括基于實現所述涂覆的目標涂覆特性來施加功率，包括從能夠在實現目標涂覆參數時保持所述空心陰極效應的功率參數范圍內選擇施加的功率。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于：提供所述腔體包括將所述內表面的所述特定幾何形狀限定為圓筒形；以及其中待涂覆的所述至少一外表面限定了與所述內表面同軸的圓筒形狀。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述至少一工件為具有管狀內部的管件；以及其中制定所述條件以維持所述空心陰極效應是在所述管件內同時實施，以便涂覆所述管件的內部。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述管狀內部的直徑相應于所述間距的距離。

13.如權利要求10所述的方法，其特征在于：施加到所述管狀內部和所述外表面的材料不相同。

14.一種涂覆方法，所述方法包括以下步驟：

提供腔體，所述腔體沿著軸部限定有界區域；

將導電件定位于所述有界區域之內，以便與所述軸部同軸；

將活性氣體供入所述腔體和所述導電件之間的空間內；以及

為沿著所述有界區域的空心陰極效應制定條件，以便產生包含待沉積的涂覆材料的高能等離子體，所述條件包括維持用于實現所述空心陰極效應的壓力和偏壓的合作配置。

15.如權利要求14所述的涂覆方法，其特征在于：將所述導電件定位包括將管狀件定位在具有管狀形狀的所述腔體內；以及其中加偏壓到所述導電件和所述腔體以作為陰極。

16.如權利要求14所述的涂覆方法，其特征在于：制定所述條件包括加偏壓到在所述腔體的相對側的陽極。

17.如權利要求16所述的涂覆方法，其特征在于：制定所述條件包括控制所述陽極之間的距離與貫穿所述空間的距離的縱橫比，從而影響涂覆特性。

18.如權利要求16所述的涂覆方法，其特征在于：還包括向所述腔體和所述導電件施加不對稱雙極性脈沖，包括在施加負脈沖之間向所述導電件施加短的正脈沖，以便消耗累積的正電荷而無需逆轉所述高能等離子體。