[發明專利]基板清洗方法、基板清洗裝置和存儲介質有效
| 申請號: | 200980127593.5 | 申請日: | 2009-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN102099900A | 公開(公告)日: | 2011-06-15 |
| 發明(設計)人: | 田村明威;柿本明修;土橋和也 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 方法 裝置 存儲 介質 | ||
1.一種基板清洗方法,其特征在于,
包括:
將在表面形成有圖案的半導體裝置用的基板裝載到處理容器內的裝載臺上的工序;
加熱所述基板的工序;和
之后,向所述基板的表面供給液體的清洗液的工序;
在加熱所述基板的工序中基板被加熱,使得在供給所述清洗液的工序中發生萊頓弗羅斯特現象,在向基板供給的清洗液的液滴和所述基板之間存在所述清洗液的蒸汽。
2.如權利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述清洗液以霧狀被供給到所述基板。
3.如權利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
在加熱所述基板的工序中,所述基板被加熱至140℃~300℃;
在所述供給清洗液的工序中,在大氣空氣中,供給水來作為所述清洗液。
4.如權利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,還具有:
在向所述基板供給清洗液的工序之前,還具備將所述處理容器內減壓的工序。
5.如權利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述清洗液是水或者有機溶劑的至少任何一種。
6.一種基板清洗方法,其特征在于,
包括:
將在表面形成有圖案的半導體裝置用的基板裝載到處理容器內的裝載臺上的工序;和
之后,向所述基板的表面供給液體的清洗液的工序;
將沸點比在所述裝載臺上裝載的所述基板的溫度低的液體作為所述清洗液來進行供給,使得在供給所述清洗液的工序中發生萊頓弗羅斯特現象,在向基板供給的清洗液的液滴和所述基板之間存在所述清洗液的蒸汽。
7.如權利要求6所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述清洗液是從液體氮、液體氬、液體氧、液體氪、液體氙和液體二氧化碳組成的組中選擇的一種以上。
8.如權利要求6所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述清洗液以霧狀被供給到所述基板。
9.如權利要求6所述的基板清洗方法,其特征在于,還具有:
在向所述基板供給清洗液的工序之前,還具備將所述處理容器內減壓的工序。
10.一種基板清洗裝置,其特征在于,包括:
處理容器,在其內部具有:以能裝載在表面形成有圖案的半導體裝置用的基板的方式構成的裝載臺;
清洗液供給部件,其對所述裝載臺上的基板供給用于清洗所述基板的液體的清洗液;和
加熱機構,其加熱所述裝載臺上的所述基板,使得發生萊頓弗羅斯特現象,在向所述基板供給的清洗液的液滴和所述裝載臺上的所述基板之間存在所述清洗液的蒸汽。
11.如權利要求10所述的基板清洗裝置,其特征在于:
所述清洗液供給部件將清洗液以霧狀進行供給。
12.一種基板清洗裝置,其特征在于,
包括:
處理容器,在其內部具有:以能裝載在表面形成有圖案的半導體裝置用的基板的方式構成的裝載臺;和
清洗液供給部件,其對所述裝載臺上的基板供給用于清洗所述基板的液體的清洗液;
所述清洗液供給部件將沸點比在所述裝載臺上裝載的所述基板的溫度低的液體作為所述清洗液進行供給,使得發生萊頓弗羅斯特現象,在向所述基板供給的清洗液的液滴和所述基板之間存在所述清洗液的蒸汽。
13.如權利要求12所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述清洗液是從液體氮、液體氬、液體氧、液體氪、液體氙和液體二氧化碳構成的組中選擇的一種以上。
14.如權利要求12所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述清洗液供給部件將清洗液以霧狀進行供給。
15.一種存儲介質,其記錄有由控制清洗裝置的控制裝置執行的程序,其特征在于:
所述程序由所述控制裝置執行,從而在清洗裝置中實施權利要求1所述的清洗方法。
16.一種存儲介質,其記錄有由控制清洗裝置的控制裝置執行的程序,其特征在于:
所述程序由所述控制裝置執行,在清洗裝置中實施權利要求6所述的清洗方法。
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





