[發明專利]薄膜結構的制造方法及其組合物

有效

• 申請號: 200980127497.0
• 申請日: 2009-05-14
• 公開（公告）號: CN102089684A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: T·希雷伊爾;C·J·齊默爾曼;G·M·約翰遜
• 申請（專利權）人: 巴斯夫公司
• 主分類號: G02B5/28
• 分類號: G02B5/28;C23C14/22
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林柏楠;彭飛

1.改變包含高折射率和低折射率層的多層薄膜結構的折射率的方法，其中所述高折射率和低折射率層是相同材料的，所述方法包括：

a)在基底上沉積具有一折射率的第一層膜；

b)將具有不同折射率的第二層膜沉積到所述第一層膜上；和

c)將折射率不同于所述第二層膜的第三層膜沉積到所述第二層膜上。

2.權利要求1的方法，其中所述低折射率材料是多孔的。

3.權利要求1的方法，其中所述薄膜層包含二氧化鈦，氧化鐵，二氧化鋯，氧化鋅，硫化鋅，氯氧化鉍，氮化硅，氮化鈦，氮化鋯，氧化銦錫，金剛石狀膜/石墨膜，SiO₂，硅的氧化物，碳化硅，碳化鎢，鐵素體，硅化物，氟化鎂，氧化鋁，金屬，包括鋁，銅，青銅，黃銅和銀，合金，碳質材料，沸石，聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，乙烯乙酸乙烯酯共聚物，聚脲，聚氨基甲酸酯和聚二乙烯基苯。

4.權利要求1的方法，其中所述薄膜層包含至少一種如21?CFR?Part73?Subpart?B-Food、Subpart?B-Drugs和Subpart?C-Cosmetics下所列的準許用于FD?&?C用途的材料。

5.權利要求1的方法，其中所述多層薄膜結構用于裝飾性用途。

6.改變包含高折射率和低折射率層的多層薄膜結構的折射率的方法，所述方法包括：

a)在基底上沉積具有一折射率的第一層膜；

b)將具有不同折射率的第二層膜沉積到所述第一層膜上，其中已將所述第二層膜改性以提供與其原始形式不同的折射率；和

c)將折射率不同于所述第二層膜的第三層膜沉積到所述第二層膜上。

7.權利要求6的方法，其中所述第一層和第三層膜是相同材料的。

8.權利要求6的方法，其中所述薄膜層包含二氧化鈦，氧化鐵，二氧化鋯，氧化鋅，硫化鋅，氯氧化鉍，氮化硅，氮化鈦，氮化鋯，氧化銦錫，金剛石狀膜/石墨膜，SiO₂，硅的氧化物，碳化硅，碳化鎢，鐵素體，硅化物，氟化鎂，氧化鋁，金屬，包括鋁，銅，青銅，黃銅和銀，合金，碳質材料，沸石，聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，乙烯乙酸乙烯酯共聚物，聚脲，聚氨基甲酸酯和聚二乙烯基苯。

9.權利要求6的方法，其中所述薄膜層包含至少一種如21?CFR?Part73?Subpart?B-Food、Subpart?B-Drugs和Subpart?C-Cosmetics下所列的準許用于FD?&?C用途的材料。

10.權利要求6的方法，其中所述低折射率材料是多孔的。

11.權利要求6的方法，其中所述多層薄膜結構用于裝飾性用途。

12.控制包含高折射率和低折射率層的多層薄膜結構的折射率的方法，其中所述高折射率和低折射率層由TiO₂構成，所述方法包括：

a)在基底上沉積具有一折射率的第一層膜；

b)將具有不同折射率的第二層膜沉積到所述第一層膜上；和

c)將具有不同折射率的第三層膜沉積到所述第二層膜上。

13.權利要求12的方法，其中所述多層薄膜結構用于裝飾性用途。

14.控制薄膜結構的折射率的方法，該方法包括：

a)提供基底，該基底包含已由其原始或當時的形式改變的高折射率或低折射率材料；和

b)將與膜基底相同材料的層沉積到所述基底上。

15.權利要求14的方法，其中步驟b)的層包含多孔薄膜層。

16.權利要求14的方法，其中所述多孔薄膜包括在步驟b)中控制該層的密度。

17.權利要求14的方法，其中所述薄膜層包含二氧化鈦，氧化鐵，二氧化鋯，氧化鋅，硫化鋅，氯氧化鉍，氮化硅，氮化鈦，氮化鋯，氧化銦錫，金剛石狀膜/石墨膜，SiO₂，硅的氧化物，碳化硅，碳化鎢，鐵素體，硅化物，氟化鎂，氧化鋁，金屬，包括鋁，銅，青銅，黃銅和銀，合金，碳質材料，沸石，聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，乙烯乙酸乙烯酯共聚物，聚脲，聚氨基甲酸酯和聚二乙烯基苯。