[發明專利]P側在上的GaN基發光二極管的光電化學粗化

無效

• 申請號: 200980127287.1
• 申請日: 2009-05-12
• 公開（公告）號: CN102089582A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: A·塔姆鮑利;E·L·胡;S·P·德恩巴阿斯;S·納卡姆拉
• 申請（專利權）人: 加利福尼亞大學董事會
• 主分類號: F21V33/00
• 分類號: F21V33/00;H01L33/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

相關申請的交叉引用

本申請依據35U.S.C§119(e)主張Adele?Tamboli、Evelyn?L.Hu、Steven?P.DenBaars和Shuji?Nakamura在2008年5月12日提交的、題為“PHOTOELECTROCHEMICAL?ROUGHENING?OF?Ga-FACE，P-SIDE-UP?GaN-BASED?LIGHT?EMITTING?DIODES”的共同未決并且共同受讓的美國臨時專利申請No.61/052,417(代理人案號30794.271-US-P1(2008-535-1))的權益；

該申請通過引用合并到此。

本申請涉及下面的共同未決并且共同受讓的美國專利申請：

Adele?Tamboli、Evelyn?L.Hu、Matthew?C.Schmidt、Shuji?Nakamura和Steven?P.DenBaars在與此相同日期提交的、題為“PHOTOELECTROCHEMICAL?ETCHING?OF?P-TYPESEMICONDUCTOR?HETEROSTRUCTURES”的美國實用新型申請No.xx/xxx,xxx(代理人案號30794.272-US-U1(2008-533))，該申請依據35U.S.C§119(e)主張Adele?Tamboli、Evelyn?L.Hu、MatthewC.Schmidt、Shuji?Nakamura和Steven?P.DenBaars在2008年5月12日提交的、題為“PHOTOELECTROCHEMICAL?ETCHING?OF?P-TYPESEMICONDUCTOR?HETEROSTRUCTURES”的美國臨時申請No.61/052,421(代理人案號30794.272-US-P1(2008-533))的權益；以及

Tetsuo?Fujii、Yan?Gao、Evelyn?L.Hu和Shuji?Nakamura在2006年6月7日提交的、題為“HIGHLY?EFFICIENT?GALLIUM?NITRIDE?BASEDLIGHT?EMITTING?DIODES?VIA?SURFACE?ROUGHENING”的美國實用新型申請No.10/581,940(代理人案號30794.108-US-WO(2004-063))，該申請依據35U.S.C§365(c)主張Tetsuo?Fujii、Yan?Gao、Evelyn?L.Hu和Shuji?Nakamura在2003年12月9日提交的、題為“HIGHLY?EFFICIENTGALLIUM?NITRIDE?BASED?LIGHT?EMITTING?DIODES?VIASURFACE?ROUGHENING”的PCT申請No.US2003/039211(代理人案號30794.108-WO-01(2004-063))的權益；

Adele?Tamboli、Evelyn?L.Hu和James?S.Speck在2008年10月9日提交的、題為“PHOTOELECTROCHEMICAL?ETCHING?FOR?CHIPSHAPING?OF?LIGHT?EMITTING?DIODES”的美國臨時申請No.61/104,015(代理人案號30794.289-US-P1(2009-157))；以及

Adele?Tamboli、Evelyn?L.Hu、Arpan?Chakraborty和StevenP.DenBaars在2009年1月30日提交的、題為“PHOTOELECTROCHEMICAL?ETCHING?FOR?LASER?FACETS”的美國臨時申請No.61/148,679(代理人卷號30794.301-US-P1(2009-360))；

該申請通過引用合并到此。

技術領域

本發明涉及使用光電化學(PEC)刻蝕對GaN基發光二極管(LED)的p型表面進行粗化的工藝。

背景技術

(注意：該申請引用多個不同的公開，如在整個說明書中通過一個或多個括弧內的標號(例如[X])所指示的。根據這些標號排序的這些不同的公開的列表可以在下面的標題為“參考文獻”的章節中找到。這些公開中的每一個通過引用合并到此。)

在過去已經為其它材料系統(包括GaP[1])提出并且開發了粗化LED。之前已經使用PEC刻蝕來對GaN基LED進行粗化，但是該工藝僅對N面n型LED適用。因為與GaN異質結構的生長和摻雜相關的問題，所以其生長典型地進行為最后生長任何p型層。因此，之前LED的PEC粗化總是需要去除藍寶石襯底，并且將LED鍵合到子基座(submount)，使得n型N面側被暴露。