[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980127111.6
• 申請(qǐng)日: 2009-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN102089880A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平爾順;R·賽克;K·修格拉夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克3D公司
• 主分類號(hào): H01L27/10
• 分類號(hào): H01L27/10;H01L27/102;H01L21/768
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成被絕緣層包圍的立柱形狀的半導(dǎo)體器件，使得所述絕緣層中的接觸孔露出所述半導(dǎo)體器件的上表面；

在所述絕緣層的上方形成蔭罩層，使得所述蔭罩層的部分突出所述接觸孔的部分之上；

形成傳導(dǎo)層，使得所述傳導(dǎo)層的第一部分設(shè)置在在所述接觸孔中露出的所述半導(dǎo)體器件的上表面上并且所述傳導(dǎo)層的第二部分設(shè)置在所述蔭罩層上方；以及

去除所述蔭罩層和所述傳導(dǎo)層的所述第二部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述蔭罩層的步驟包括通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)蒸發(fā)沉積即PECVD沉積絕緣蔭罩層；以及

所述蔭罩層具有與所述絕緣層的成分不同的成分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述蔭罩層包括氮化硅或者BPSG并且所述絕緣層包括二氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述去除的步驟包括通過化學(xué)機(jī)械拋光即CMP或者回蝕去除所述蔭罩層和所述傳導(dǎo)層的所述第二部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在去除所述蔭罩層和所述傳導(dǎo)層的所述第二部分的步驟之前用可流動(dòng)材料填充所述接觸孔；以及

在去除所述蔭罩層和所述傳導(dǎo)層的所述第二部分的步驟之后去除所述可流動(dòng)材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括非易失性存儲(chǔ)器器件的轉(zhuǎn)向元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括立柱形狀的二極管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述立柱形狀的半導(dǎo)體器件的步驟包括將半導(dǎo)體材料選擇性地沉積到所述絕緣層中的開口中，使得所述開口的低部分被填充所述半導(dǎo)體材料并且所述開口的未被填充的高部分形成所述接觸孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述傳導(dǎo)層的所述第一部分上方在所述接觸孔中形成電阻率開關(guān)元件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述電阻率開關(guān)元件從反熔絲、熔絲、多晶硅存儲(chǔ)器效應(yīng)單元、金屬氧化物存儲(chǔ)器、可開關(guān)復(fù)合金屬氧化物、碳可開關(guān)電阻材料、相變材料存儲(chǔ)器、傳導(dǎo)橋元件或者可開關(guān)聚合物存儲(chǔ)器中選擇。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

在所述半導(dǎo)體器件下方形成下電極；以及

在所述電阻率開關(guān)元件上方形成上電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述蔭罩層的步驟之后進(jìn)行化學(xué)濕法清潔步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述接觸孔具有弓形。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成傳導(dǎo)層的步驟包括通過物理蒸發(fā)沉積即PVD形成TiN層。

15.一種非易失性存儲(chǔ)器器件的制造方法，包括：

形成下電極；

形成絕緣層；

在所述絕緣層中形成開口以露出所述下電極的至少部分；

在所述開口中形成與所述下電極電接觸的立柱形狀的二極管轉(zhuǎn)向元件，使得所述二極管轉(zhuǎn)向元件部分地填充所述開口；

在所述絕緣層上方形成蔭罩層，使得所述蔭罩層的部分突出在所述開口的部分上方；

形成傳導(dǎo)層，使得所述傳導(dǎo)層的第一部分設(shè)置在所述開口中露出的所述二極管轉(zhuǎn)向元件的上表面上并且所述傳導(dǎo)層的第二部分設(shè)置在所述蔭罩層上方；

去除所述蔭罩層和所述傳導(dǎo)層的所述第二部分；

在所述傳導(dǎo)層的所述第一部分上方在所述開口中形成電阻率開關(guān)元件；以及

在所述電阻率開關(guān)元件上方形成上電極。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中：

形成所述蔭罩層的步驟包括通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)蒸發(fā)沉積即PECVD沉積絕緣蔭罩層，所述絕緣蔭罩層具有與所述絕緣層的成分不同的成分；以及

形成立柱形狀的二極管的步驟包括將多晶硅或者非晶硅半導(dǎo)體二極管材料選擇性地沉積到所述開口中。