[發明專利]拋光鎳-磷的方法

有效

• 申請號: 200980126743.0
• 申請日: 2009-07-06
• 公開（公告）號: CN102089865A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: 文卡塔拉馬南.巴拉蘇布拉馬尼亞姆;楊平熹
• 申請（專利權）人: 卡伯特微電子公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 宋莉

1.對基材進行化學-機械拋光的方法，該方法包括：

(i)提供包含鎳-磷的基材，

(ii)使所述基材與化學-機械拋光組合物接觸，該化學-機械拋光組合物包含：

(a)濕法二氧化硅，

(b)使鎳-磷氧化的試劑，和

(c)氨基多羧酸，

其中所述拋光組合物具有1～5的pH值，和

(iii)使所述拋光組合物相對于所述基材移動以磨除所述鎳-磷的至少一部分以拋光所述基材。

2.權利要求1的方法，其中所述拋光組合物包含0.1重量％～5重量％的濕法二氧化硅。

3.權利要求2的方法，其中所述拋光組合物包含0.5重量％～3重量％的濕法二氧化硅。

4.權利要求1的方法，其中所述濕法二氧化硅具有20nm～125nm的平均粒度。

5.權利要求1的方法，其中所述氧化劑為過氧化氫。

6.權利要求5的方法，其中所述拋光組合物包含0.05重量％～0.5重量％的過氧化氫。

7.權利要求1的方法，其中所述氨基多羧酸選自β-丙氨酸二乙酸、甲基甘氨酸二乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、N，N，-二(羧甲基)丙氨酸、它們的鹽、及它們的組合。

8.權利要求1的方法，其中所述氨基多羧酸為甲基甘氨酸二乙酸。

9.權利要求1的方法，其中所述氨基多羧酸為羥乙基乙二胺三乙酸。

10.權利要求1的方法，其中所述拋光組合物包含0.1重量％～5重量％的所述氨基多羧酸。

11.權利要求10的方法，其中所述拋光組合物包含0.5重量％～2重量％的所述氨基多羧酸。

12.權利要求1的方法，其中所述拋光組合物的pH為2～4。

13.權利要求1的方法，其中所述拋光組合物的pH為2～3。

14.權利要求1的方法，其中所述基材包括鎳-磷涂覆的鋁磁盤。

15.權利要求14的方法，其中所述磁盤為存儲磁盤。

16.權利要求1的方法，其中所述拋光組合物包含：

(a)0.1重量％～5重量％的縮聚二氧化硅，

(b)0.05重量％～0.5重量％的過氧化氫，和

(c)0.1重量％～5重量％的甲基甘氨酸二乙酸或羥乙基乙二胺三乙酸，其中所述拋光組合物具有2～4的pH。

17.權利要求16的方法，其中所述基材包括鎳-磷涂覆的鋁磁盤。

18.權利要求17的方法，其中所述磁盤為存儲磁盤。