[發(fā)明專利]形成多個電容器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980126565.1
• 申請日: 2009-06-10
• 公開（公告）號: CN102089877A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 弗雷德·D·菲什伯恩
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

技術(shù)領(lǐng)域

本文所揭示的實施例涉及形成多個電容器的方法。

背景技術(shù)

電容器是常用于制造集成電路(例如，用于DRAM電路)的一種類型的組件。電容器由兩個由非導(dǎo)電電介質(zhì)區(qū)域分離的導(dǎo)電電極組成。隨著集成電路密度的增加，盡管有典型的減小的電容器區(qū)，但對于維持足夠高的存儲電容仍存在持續(xù)挑戰(zhàn)。集成電路密度的增加通常已導(dǎo)致電容器的水平尺寸與垂直尺寸相比而具有較大減小。在許多實例中，電容器的垂直尺寸已增加。

制造電容器的一個方式是首先形成其內(nèi)形成有電容器存儲節(jié)點電極的絕緣材料。例如，可在此絕緣電容器電極形成材料中制造個別電容器的電容器電極開口陣列，舉例來說，絕緣電極形成材料是摻雜有磷及硼中的一者或兩者的二氧化硅。可通過蝕刻形成所述電容器電極開口。可能難以在所述絕緣材料內(nèi)蝕刻所述電容器電極開口，特別是在所述開口較深的情況下。

此外且無論如何，通常期望在已于所述開口內(nèi)形成個別電容器電極之后如果不蝕刻掉全部的話則蝕刻掉大部分電容器電極形成材料。此使得所述電極的外部側(cè)壁表面能夠為所形成的電容器提供增加的區(qū)且借此增加的電容。然而，形成于深開口中的電容器電極通常比其寬度對應(yīng)地高得多。此可導(dǎo)致所述電容器電極在用以暴露所述外部側(cè)壁表面的蝕刻期間、在運輸襯底期間及/或在沉積電容器電介質(zhì)層或外部電容器電極層期間的傾覆。我們的美國專利第6,667,502號教示打算用以減輕此傾覆的支架或保持結(jié)構(gòu)的提供。還揭示多個電容器形成中的相關(guān)聯(lián)的其它方面，其中一些方面包含加撐結(jié)構(gòu)，且所述方面為：

美國公開申請案第2005/0051822號；

美國公開申請案第2005/0054159號；

美國公開申請案第2005/0158949號；

美國公開申請案第2005/0287780號；

美國公開申請案第2006/0014344號；

美國公開申請案第2006/0051918號；

美國公開申請案第2006/0046420號；

美國公開申請案第2006/0121672號；

美國公開申請案第2006/0211211號；

美國公開申請案第2006/0263968號；

美國公開申請案第2006/0261440號；

美國公開申請案第2007/0032014號；

美國公開申請案第2006/0063344號；

美國公開申請案第2006/0063345號；

在記憶體電路中制造電容器可在電容器陣列區(qū)內(nèi)形成電容器陣列。控制電路區(qū)或其它電路區(qū)通常從所述電容器陣列區(qū)移位，以使襯底包含位于所述電容器區(qū)與所述控制電路區(qū)或其它電路區(qū)之間的中間區(qū)。在一些實例中，在所述電容器陣列區(qū)與另一電路區(qū)之間的中間區(qū)中形成溝槽。可與在所述電容器陣列區(qū)內(nèi)制造開口相稱地形成此溝槽，在所述電容器陣列區(qū)內(nèi)將接納經(jīng)隔離電容器電極。

附圖說明

圖1是在根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝中的襯底片斷的示意性俯視平面圖。

圖2是圖1襯底片斷的一小部分的經(jīng)放大示意性俯視平面圖。

圖3是沿圖2中的線3-3裁取的截面圖。

圖4是圖2的襯底片斷在圖2所示的處理步驟之后的處理步驟處的示意性俯視平面圖。

圖5是沿圖4中的線5-5截取的截面圖。

圖6是圖4的襯底片斷在圖4所示的處理步驟之后的處理步驟處的示意性俯視平面圖。

圖7是沿圖6中的線7-7截取的截面圖。

圖8是圖6的襯底片斷在圖6所示的處理步驟之后的處理步驟處的示意性俯視平面圖。

圖9是沿圖8中的線9-9截取的截面圖。

圖10是沿圖8中的線10-10截取的截面圖。

圖11是圖8的襯底片斷在圖8所示的處理步驟之后的處理步驟處的示意性俯視平面圖。

圖12是沿圖11中的線12-12截取的截面圖。

圖13是沿圖11中的線13-13截取的剖視圖。

圖14是沿圖11中的線14-14截取的截面圖。

圖15是圖11的襯底片斷在圖11所示的處理步驟之后的處理步驟處的示意性俯視平面圖。

圖16是沿圖15中的線16-16截取的截面圖。

圖17是沿圖15中的線17-17截取的截面圖。

圖18是圖16所示的襯底片斷之后的圖16襯底片斷的視圖。

圖19是圖17所示的襯底片斷之后的圖17襯底片斷的視圖。

圖20是圖15的襯底片斷在圖18及19所示的處理步驟之后的處理步驟處的示意性俯視平面圖。