[發明專利]整修多部件電極的方法有效
| 申請號: | 200980125834.2 | 申請日: | 2009-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN102077696A | 公開(公告)日: | 2011-05-25 |
| 發明(設計)人: | 阿芒·阿沃揚;方言;杜安·奧特卡;石洪;斯特芬·惠藤 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H05H1/34 | 分類號: | H05H1/34 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 周文強;李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 整修 部件 電極 方法 | ||
1.一種整修多部件電極的方法,所述多部件電極包含連接在導電墊板上的硅電極,所述方法包括:
去除所述多部件電極上的金屬離子,所用方法為將所述多部件電極在基本上無醇的并且包含硫酸、過氧化氫和水的磷酸氫二鈉(DSP)溶液中浸泡,接著用去離子水清洗所述多部件電極;
去除所述多部件電極上的金屬離子后,將所述多部件電極的一個或者一個以上的表面拋光;接著
去除所述多部件電極硅表面的雜質,所用方法為用包含氫氟酸、硝酸、醋酸和水的混合酸溶液處理所述經拋光的多部件電極,然后用去離子水清洗所述經處理的多部件電極。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,按體積,所述DSP溶液包含大量的水。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,按體積,所述DSP溶液包含的過氧化氫多于硫酸。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,按體積,所述DSP溶液包含至少大約80%水。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,按體積,所述DSP溶液包含大約70-90%的水,大約10-20%的過氧化氫,以及大約10%的硫酸。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,按體積,所述DSP溶液包含大約80%的水,大約15%的過氧化氫,以及大約5%的硫酸。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,用于去除所述多部件電極上的金屬離子和雜質的去離子水電阻率至少大約12MΩ-cm。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,用于去除所述多部件電極上的金屬離子和雜質的去離子水溫度不高于大約20±5℃。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,所述表面拋光在基本上連續的去離子水水流下進行,所述去離子水水流溫度不高于大約20±5℃,并且其流量足以阻止所述電極表面的去離子水溫度升到大約25℃以上。
10.根據權利要求1所述的方法,其中:
在用所述混合酸溶液處理所述經拋光的多部件電極前,在去離子水中對所述多部件電極通過超聲清洗工序處理,從而去除所述多部件電極硅表面的雜質;
用于超聲清洗工序中的所述去離子水溫度不超過大約20±5℃;并且
用于所述超聲清洗工序中的去離子水其超聲功率密度在大約1.5瓦/厘米2和大約3.1瓦/厘米2之間,頻率大約40千赫茲。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,用所述混合酸溶液擦拭所述電極表面,以處理所述經拋光的多部件電極。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,所述多部件電極包含淋浴頭電極,實施所述擦拭工序時,所述電極要用固定裝置夾持,并且將壓縮的氮氣引導流經所述淋浴頭電極的淋浴頭通道,以防止所述混合酸溶液被吸進所述淋浴頭通道里。
13.根據權利要求11所述的方法,其中,所述擦拭工序之后,在不超過大約20±5℃的溫度下,進行去離子水清洗工藝。
14.根據權利要求1所述的方法,其中,用KOH溶液擦拭所述電極表面,從而去除所述經拋光的多部件電極上的污跡。
15.根據權利要求1所述的方法,其中,用包含氫氟酸、硝酸和水的酸洗溶液擦拭所述導電墊板的表面,從而去除所述經拋光的多部件電極上的污跡。
16.根據權利要求1所述的方法,其中,所述多部件電極包括連接到導電鋁基墊板或導電石墨基墊板上的硅電極。
17.根據權利要求1所述的方法,其中,所述多部件電極設置成淋浴頭電極或者包繞淋浴頭電極的環形電極。
18.根據權利要求1所述的方法,其中,所述方法還包括,通過在不超過40psi的壓強下,使CO2顆粒流向或者流過所述多部件電極的表面,去除雜質。
19.根據權利要求1所述的方法,其中,用去離子水進行清洗后,用所述混合酸溶液反復擦拭所述電極表面,從而去除所述多部件電極上的雜質。
20.一種整修多部件電極的方法,所述多部件電極包含連接在導電墊板上的硅電極,所述方法包括:
去除所述多部件電極上的金屬離子,所用方法為讓所述多部件電極在基本上無醇的并且按體積,包含大約70-90%的水、大約10-20%的過氧化氫以及至多大約10%的硫酸的DSP溶液中浸泡,接著用去離子水清洗所述多部件電極,其中所述去離子水的電阻率至少大約12MΩ-cm,并且所述去離子水的溫度大約20±5℃;
去除所述多部件電極上的金屬離子后,將所述多部件電極的一個或者一個以上的表面拋光,其中所述表面拋光是在基本上連續的去離子水水流下進行,所述去離子水水流溫度大約20±5℃,并且其流量足以阻止所述電極表面的去離子水溫度升到大約25℃以上;
在用包含氫氟酸、硝酸、醋酸和水的混合酸溶液處理所述經拋光的多部件電極前,在去離子水中對所述多部件電極通過超聲清洗工序處理,從而去除所述多部件電極硅表面的雜質,接著用去離子水處理所述多部件電極,其中用于超聲清洗工序中的所述去離子水的溫度大約20±5℃,并且用于所述超聲清洗工序中的所述去離子水其超聲功率密度在大約1.5瓦/厘米2和3.1瓦/厘米2之間,頻率大約40千赫茲。
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