[發明專利]非電解沉積方法

有效

• 申請號: 200980125637.0
• 申請日: 2009-06-23
• 公開（公告）號: CN102124143A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 桑德蘭·迪呂阿爾;克洛迪娜·比韋
• 申請（專利權）人: 埃西勒國際通用光學公司
• 主分類號: C23C18/54
• 分類號: C23C18/54
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;金惠淑

1.非電解沉積化合物的方法，包括以下相繼的步驟：

(a)將導電層沉積在非導電固體基底上；

(b)將還原劑或氧化劑(氧化還原劑)沉積在所述導電層的區域上，所述區域僅覆蓋了所述導電層的部分表面；

(c)使待沉積的化合物的前體溶液同時與所述氧化還原劑和未被所述氧化還原劑覆蓋的導電層的至少一部分表面接觸，所述前體選自那些氧化還原電勢比所述氧化還原劑高或低并在氧化還原反應后形成不溶于待沉積化合物前體溶液的化合物的物質。

2.根據權利要求1所述的非電解沉積方法，其特征在于所述待沉積的化合物是電致變色化合物。

3.根據權利要求1所述的非電解沉積方法，其特征在于所述非導電基底以及沉積于其上的導電層均由透明或半透明的材料獨立地形成。

4.根據上述權利要求中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于所述導電層是摻雜有錫的氧化銦(ITO)層、摻雜有錫的氧化氟層(FTO)或含有聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)(PEDOT)的層。

5.根據上述權利要求中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于在步驟(b)中沉積的所述氧化還原劑是待沉積化合物前體的還原劑。

6.根據權利要求5所述的非電解沉積方法，其特征在于所述還原劑選自金屬態的以下金屬：Ni、Mo、Cu、Co、In、Fe、Zn、Si、Ag、Ti和Al，優選選自金屬態的以下金屬：Ni、Ag、Ti和Al，特別選自金屬態的Ni、Ag和Al。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于所述還原劑是含有聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)(PEDOT)的膜。

8.根據權利要求2-7中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于所述電致變色化合物選自：六氰基金屬化物、芳基紫羅堿、芳基烷基紫羅堿和C_7-10烷基紫羅堿。

9.根據權利要求8所述的非電解沉積方法，其特征在于所述電致變色化合物是六氰高鐵酸鐵(普魯士藍)。

10.根據上述權利要求中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于步驟(b)中的所述氧化還原劑的沉積是在所述導電層表面邊緣進行。

11.根據上述權利要求中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于步驟(b)中的所述氧化還原劑的沉積是按照在所述導電層的整個表面上延伸但僅覆蓋其一部分的規則圖案進行。

12.根據上述權利要求中任一項所述的非電解沉積方法，其特征在于在步驟(c)中，含有待沉積化合物的前體的溶液與所述氧化還原劑和所述導電層表面接觸的時間為30秒至8分鐘，優選1至5分鐘。