[發明專利]配線結構、薄膜晶體管基板及其制造方法、以及顯示裝置

無效

• 申請號: 200980125535.9
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN102077323A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 川上信之;福間信也;三木綾;越智元隆;森田晉也;橫田嘉宏;后藤裕史
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種配線結構，其在基板上從基板側起依次具備半導體層、和純Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，

在所述半導體層與所述Cu系合金膜之間，包含從基板側起依次為含有選自氮、碳及氟中的至少一種元素的(N、C、F)層、和含有Cu及Si的Cu-Si擴散層的層疊結構，且所述(N、C、F)層所含的氮、碳及氟中的至少一種元素與所述半導體層所含的Si相結合。

2.根據權利要求1所述的配線結構，其中，所述Cu-Si擴散層通過在依次形成所述(N、C、F)層、半導體層、及所述Cu系合金膜之后施加熱處理而得到。

3.根據權利要求1所述的配線結構，其中，所述半導體層含有非晶硅或多晶硅。

4.一種薄膜晶體管基板，其具備權利要求1～3中任一項所述的配線結構。

5.一種顯示裝置，其具備權利要求4所述的薄膜晶體管基板。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的配線結構，其構成顯示裝置或半導體裝置。

7.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其是制造權利要求4所述的薄膜晶體管基板的方法，依次包括，

在薄膜晶體管的半導體層上形成含有選自氮、碳及氟中的至少一種元素的(N、C、F)層的第1工序，以及，

在所述第1工序后，形成半導體層的第2工序。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述第1工序在半導體層形成裝置中進行處理。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其中，所述第1工序和所述第2工序在同一半導體層形成用腔室內連續地進行。

10.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述第1工序包含如下步驟：通過利用含有選自氮、碳及氟中的至少一種元素的氣體的等離子體蝕刻，來形成(N、C、F)層。

11.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述第1工序包含如下步驟：通過利用含有選自氮、碳及氟中的至少一種元素的氣體與半導體層形成所使用的原料氣體的混合氣體的等離子體蝕刻，來形成(N、C、F)層。