[發(fā)明專利]具有增強均勻性的微柱體及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980125032.1
• 申請日: 2009-06-30
• 公開（公告）號: CN102119117A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 克里斯蒂安·A·博列;弗拉維奧·帕爾多
• 申請（專利權(quán)）人: 阿爾卡特朗訊美國公司
• 主分類號: B81B7/04
• 分類號: B81B7/04;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 趙偉

1.一種裝置，包括：

基底，具有平面表面；

多個微柱體，位于所述平面表面上，每一個微柱體具有在所述平面表面上的底座部分和位于對應(yīng)的底座部分的上表面上的柱體部分，以及

其中，所述底座部分的側(cè)表面與所述平面表面以斜角相交。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，在所述平面表面上，所述底座部分的橫向?qū)挾戎辽偈撬鲋w部分的直徑的兩倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述底座部分中的一個底座部分的上表面具有比由所述底座部分中的所述一個底座部分所覆蓋的平面表面的一半面積更小的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多個包括至少20個相鄰的微柱體，并且在所述多個之間，所述微柱體中的不同微柱體的高度差距小于百分之五。

5.一種方法，包括：

執(zhí)行干蝕刻，以在基底表面上的槽中形成微柱體的柱體部分；

執(zhí)行濕蝕刻，以從所述基底移除層，使得所述柱體部分位于底座部分之上，并且所述底座部分位于所述基底的平面表面之上，所述底座部分具有與上平面表面傾斜相交的側(cè)表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

執(zhí)行所述干蝕刻包括：在所述基底中形成槽，并且形成所述槽至所述基底中的深度；

在所述基底、所述柱體的表面以及所述槽上形成掩模層；

從所述基底移除掩模，使得所述掩模的一部分保留在與所述槽相鄰的基底上，并且保留在所述槽和所述柱體的表面上；以及

使用各向異性蝕刻，以移除所述基底，包括移除位于所述掩模下的至所述槽的深度的基底。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，執(zhí)行干蝕刻包括：使用等離子蝕刻，并且形成深度至少1微米的槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，執(zhí)行濕蝕刻包括：使用氫氧化鉀(KOH)水溶液或氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液的各向異性蝕刻。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述KOH包括按重量計約20％到約45％的水溶液，并以范圍在約30℃到約80℃中的溫度進行所述蝕刻。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，每一個微柱體的高度與每一個底座部分的寬度之比是至少2∶1。