[發明專利]Au-Ga-In類釬料

有效

• 申請號: 200980124879.8
• 申請日: 2009-07-15
• 公開（公告）號: CN102083582A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 谷口浩康;島田知宏;宮崎兼一
• 申請（專利權）人: 田中貴金屬工業株式會社
• 主分類號: B23K35/30
• 分類號: B23K35/30;C22C5/02;H01L23/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 馮雅;胡燁

1.一種釬料，其特征在于，由Au-Ga-In三元系合金形成，這些元素的重量濃度位于Au-Ga-In三元系狀態圖中的以A點(Au：90％，Ga：10％，In：0％)、B點(Au：70％，Ga：30％，In：0％)、C點(Au：60％，Ga：0％，In：40％)、D點(Au：80％，Ga：0％，In：20％)為頂點的多邊形的區域內，但所述區域不包括In、Ga為0％的線上的點。

2.如權利要求1所述的釬料，其特征在于，Au-Ga-In三元系合金的元素的重量濃度位于Au-Ga-In三元系狀態圖中的以E點(Au：86％，Ga：13％，In：1％)、F點(Au：81％，Ga：17％，In：2％)、G點(Au：79％，Ga：10％，In：11％)、H點(Au：84％，Ga：6％，In：10％)為頂點的多邊形的區域內。

3.如權利要求1或2所述的釬料，其特征在于，Au-Ga-In三元系合金的元素的重量濃度位于Au-Ga-In三元系狀態圖中的以I點(Au：85％，Ga：10％，In：5％)、J點(Au：80％，Ga：14％，In：6％)、G點(Au：79％，Ga：10％，In：11％)、H點(Au：84％，Ga：6％，In：10％)為頂點的多邊形的區域內。

4.如權利要求1～3中的任一項所述的釬料，其特征在于，還包含Sn、Ge、Zn、Sb、Si、Bi、Al中的至少1種添加元素。

5.如權利要求4所述的釬料，其特征在于，添加元素的添加量為0.001～3.0重量％。

6.如權利要求1～5中的任一項所述的釬料，其特征在于，其材料組織由自熔融狀態的急冷凝固組織形成。

7.一種氣密密封用封裝部件，其特征在于，具備權利要求1～6中的任一項所述的釬料。

8.一種密封方法，其特征在于，使用權利要求1～6中的任一項所述的釬料。