[發明專利]發光顯示裝置

有效

• 申請號: 200980124399.1
• 申請日: 2009-06-30
• 公開（公告）號: CN102077386A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 檜垣卓也;北山宏之;長谷川利則;古郡學;木村俊秀
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李穎

1.一種發光顯示裝置，包括：

基板；

多個發光部分，沿與所述基板的表面垂直的方向被層疊于基板上，所述多個發光部分中的每一個被插入一對電極之間；以及

光提取部分，用于提取從所述發光部分發射的光，其中：

被放置為與所述光提取部分相距最遠的一個發光部分被插入反射電極和半反射電極之間；以及

所述反射電極和所述半反射電極之間的光路長度被設定為使得在從所述反射電極和所述半反射電極之間的發光部分發射的光之中，被提取到所述發光顯示裝置外面的光通過干涉被強化。

2.根據權利要求1的發光顯示裝置，其中，所述反射電極和所述半反射電極之間的光路長度被形成為滿足下式(1)和(2)：

m-0.1≤2L0/λ+δ/2π≤m+0.1????????????(1)

m′-0.1≤2L/λ+(δ+Φ)/2π≤m′+0.1???(2)，

這里，L0表示被設置在所述反射電極和所述半反射電極之間的發光部分的發射位置與所述反射電極的反射表面之間的光路長度；L表示所述反射電極的反射表面與所述半反射電極的反射表面之間的光路長度；λ表示所提取的光的峰值波長；δ表示在所述反射電極處反射所提取的光時產生的相位偏移量；Φ表示在所述半反射電極處反射所提取的光時產生的相位偏移量；m和m′均表示自然數。

3.根據權利要求1的發光顯示裝置，其中，在所述多個發光部分之中，至少從所述反射電極側算起的第i個發光部分滿足下式(3)和

(4)：

k(i)-0.1≤2L1(i)/λ(i)+Φ/2π≤k(i)+0.1????????(3)

k′(i)-0.1≤2L2(i)/λ(i)+δ/2π≤k′(i)+0.1????(4)，

這里，L1表示發光部分的發射位置與所述半反射電極中的反射表面之間的光路長度，L2表示電致發光層的發射位置與所述反射電極中的反射表面之間的光路長度，λ(i)表示從電致發光層提取的光的峰值波長，δ表示在反射電極處反射所提取的光時產生的相位偏移量；Φ表示在半反射電極處反射所提取的光時產生的相位偏移量；k(i)和k′(i)均表示自然數，i表示從所述反射電極側算起的電致發光層的編號，該編號為2或更大的自然數。

4.根據權利要求1的發光顯示裝置，其中，所述反射電極和所述半反射電極之間的發光部分包含藍色發射層。