[發明專利]元件陣列、機電轉換裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 200980124101.7 | 申請日： | 2009-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102076428A | 公開（公告）日： | 2011-05-25 |
| 發明（設計）人： | 江崎隆博;張建六;添田康宏;玉森研爾 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | B06B1/02 | 分類號： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 楊國權 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 元件 陣列 機電 轉換 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種元件陣列，包括多個具有第一電極和第二電極的元件，在第一電極和第二電極之間具有空隙；
通過凹槽對于每個元件分離第一電極，
絕緣的連接襯底與第一電極接合，以及
從對于每個元件分離的各個第一電極中的每一個第一電極穿過所述連接襯底到與第一電極相對的一側地形成布線。
2.根據權利要求1所述的元件陣列，其中所述連接襯底具有用于所述布線的通孔。
3.根據權利要求2所述的元件陣列，其中與所述通孔一一對應地形成第一電極。
4.根據權利要求1所述的元件陣列，其中所述布線和第一電極不共軸。
5.根據權利要求1到4中任何一個所述的元件陣列，其中在第一電極和所述連接襯底之間的接合界面處由所述連接襯底封上凹槽。
6.根據權利要求2到5中任何一個所述的元件陣列，其中所述通孔從與第一電極的接合面穿過所述連接襯底朝向相對面擴大。
7.根據權利要求1到6中任何一個所述的元件陣列，其中所述連接襯底具有從3.8到10的范圍的相對介電常數、不低于5GPa的楊氏模量、以及不大于元件襯底的熱膨脹系數的三倍的熱膨脹系數。
8.根據權利要求1到7中任何一個所述的元件陣列，其中第一電極由半導體材料形成。
9.根據權利要求1到8中任何一個所述的元件陣列，其中第一電極和所述連接襯底通過熔化接合、壓力接合、陽極接合、直接接合和擴散接合中的任意一種來接合。
10.一種機電轉換裝置，包括具有多個元件的元件襯底以及電路襯底，所述元件具有第一電極和第二電極，在第一電極和第二電極之間具有空隙；其中所述元件襯底具有為了對于每個元件分離第一電極而形成的凹槽，
絕緣的連接襯底與第一電極接合，以便利用所述連接襯底的插入來固定所述元件襯底和所述電路襯底，以及
由穿過所述連接襯底設置的布線使第一電極和所述電路襯底電連接。
11.一種用于制造機電轉換裝置的方法，所述機電轉換裝置具有被固定到元件襯底的電路襯底，所述元件襯底具有第一電極和第二電極，并且在第一電極和第二電極之間具有空隙，所述方法包括：
將用于使第一電極與所述電路襯底電連接的絕緣的連接襯底與所述元件襯底接合；
在與所述連接襯底接合的所述元件襯底上形成用于對于每個元件分離第一電極的凹槽；以及
將所述連接襯底與所述電路襯底固定在一起。
12.根據權利要求11所述的用于制造機電轉換裝置的方法，包括在所述連接襯底中形成用于將第一電極與所述電路襯底電連接的布線、以及用于形成所述布線的通孔。
13.根據權利要求11或12所述的用于制造機電轉換裝置的方法，其中，在所述凹槽的形成中，在所述連接襯底與所述元件襯底接合之前所述凹槽被形成為不穿透第一電極，并且在所述連接襯底與所述元件電極接合之后去除所述凹槽的剩余的部分。
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