[發(fā)明專利]具有釋放表面的保護膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980123779.3
• 申請日: 2009-06-26
• 公開（公告）號: CN102066512A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·C·帕特爾;B·B·德塞;G·M·巴拉克霍夫;P·E·托馬斯
• 申請（專利權(quán)）人: 屈德加薄膜產(chǎn)品股份有限公司
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;B32B33/00;B29C63/02;B29C59/04
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明;崔佳佳

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2008年6月27日提交的美國臨時專利申請第61/133,356號的優(yōu)先權(quán)。

背景技術(shù)

本發(fā)明涉及用于在制造、貯藏、運輸或使用中保護基材表面的膜。本發(fā)明還涉及制備所述膜的方法。

表面保護膜也被稱為掩膜，通常用于提供物理屏障，以防基材發(fā)生破壞、污染、刻劃、刮擦或其它損壞。掩膜可用于例如在基材使用前的制造、運輸或貯藏中提供這些保護。這些膜在許多的應(yīng)用中可用作表面的保護性覆蓋層，特別是用于保護較光滑的表面，例如丙烯酸類、聚碳酸酯類、玻璃、拋光或涂漆的金屬和上釉的陶瓷表面。例如用于電視機、監(jiān)控器和其它顯示器的光學基材需要既保護表面又可在去除時不在表面上造成損壞、留下粘合劑殘余物或其它污染物或微粒的掩膜。

通常，掩膜包括電暈處理的膜或者涂覆粘合劑的紙或膜。電暈處理的膜是經(jīng)靜電放電處理的膜，以氧化膜的表面。該氧化作用提高膜的表面張力和對極性表面的吸引力。這樣的電暈處理的膜通常為光滑的膜，依賴于非常精確的電暈處理以促進粘合。由于沒有壓紋，電暈處理的膜通常容易起皺，使得難以使用和操作這些膜。另一個缺點是促進電暈處理效果的粘合作用隨時間而消散。

一般來說，常規(guī)掩膜較難使用和操作。因為掩膜設(shè)計成與表面粘合，它們也可在掩膜繞在輥上或粘合表面接觸掩蔽膜的一部分時與其自身發(fā)生粘合。這種所謂的結(jié)塊可導(dǎo)致加工困難，包括延遲和浪費材料。為降低自身粘合的傾向，可用弱粘合劑涂覆掩膜。掩膜上的弱粘合劑可防止膜在輥上與其自身發(fā)生緊密粘合，然而，弱粘合劑也可能無法提供與需要保護表面的充分粘合。

其它膜在粘合表面的反面可配有一個不光滑的表面，常稱為單側(cè)粗糙(“OSM”)掩膜。粗糙表面的不規(guī)則性不能為粘合提供良好表面，為掩膜提供抗結(jié)塊性質(zhì)。

需要自身粘合低，但能與基材充分粘合以提供合適保護作用的掩膜。還需要具有緩沖作用并便于操作平坦基材的掩膜。

在其它應(yīng)用中，可能需要采用不粘合表面，但與基材交錯以提供物理分離的材料。這樣的應(yīng)用常用于制造操作中，例如，其中光學級玻璃或塑料基材釘在一起。在這樣的應(yīng)用中，紙或其它材料用于與基材交錯放置以防損壞。交錯片材也用于疊置易碎和刻劃敏感基材之間，以在向最終用戶的運輸期間提供極光滑光學基材之間的分離作用。

相應(yīng)地，也需要用于保護基材表面的低成本非粘附材料。

發(fā)明內(nèi)容

在一個實施方式中，掩膜包含具有至少一個三維釋放表面的聚合物膜網(wǎng)狀物。

在一個實施方式中，所述三維釋放表面包含與所述膜形成一體的多個突出凸起。

在一個實施方式中，所述突出凸起包含多個間隔的肋條(rib)。

在一個實施方式中，所述三維釋放表面包含聚合物小塊(nub)。

在一個實施方式中，所述掩膜包含與三維釋放表面相反的粘合層。

參考附圖和權(quán)利要求書，進一步閱讀說明書后不難理解這些和其它實施方式。

附圖說明

圖1是顯示與基材粘合并包含釋放層和粘合層的掩膜的橫截面圖，其中所述釋放層包含具有多個有孔凸起的三維釋放表面。

圖1A是顯示與基材粘合并包含釋放層和粘合層的掩膜的橫截面圖，其中所述釋放層包含具有長斜方形壓紋圖案的三維釋放表面。

圖1B是顯示與基材粘合并包含釋放層和粘合層的掩膜的橫截面圖，其中所述釋放層包含多平面膜(multiplanar?film)。

圖2是具有第一釋放層、芯層和第二釋放層的掩膜的橫截面圖，其中各釋放層包含具有多個無孔凸起的三維釋放表面。

圖3是包含具有兩個釋放表面的單層膜的掩膜的橫截面圖。

圖4是具有粘合層和釋放層的掩蔽膜的透視圖，其中釋放層具有包含間隔的縱向肋條的三維釋放表面。

圖4A是除不含任何粘合層外與圖4實施方式相似的掩膜的橫截面圖。

圖5是具有粘合層和釋放層的掩膜的透視圖，其中釋放層具有包含聚合物珠的三維表面。

圖5A是圖5掩膜的橫截面圖，沿圖5中的線和箭頭A-A所示。

圖6是具有兩個三維釋放表面的膜的另一個實施方式的橫截面圖。

圖7是真空層壓工藝的示意圖。

圖8是可用于制備某些實施方式的壓紋和/或真空成型工藝的示意圖。

發(fā)明詳述

美國專利第4,395,760、5,100,709、5,693,405、6,040,046、6,326,081和6,387,484號描述了掩膜，這些專利均通過引用納入本文。