[發明專利]用于電子器件的包含雙分子層的結無效
| 申請號: | 200980123672.9 | 申請日: | 2009-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN102067317A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 朱莉娜·威塞爾斯;弗洛安·范沃克姆;比卓恩·魯斯塞姆;高德慶;漢森-喬格·諾托弗爾;威廉·E·福德 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 李劍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 電子器件 包含 分子 | ||
1.一種結,所述結包括兩種不同功能分子MB和MT的雙層,其被夾在底電極(EB)和頂電極(ET)之間,其中
所述功能分子MB和MT中的至少之一包含共軛(π)體系;
所述電極EB和ET是固態電極,并且彼此相對固定;并且
所述結通過如下形成:將所述功能分子MB的自組裝單層沉積在所述電極EB上,將所述功能分子MT的自組裝單層沉積在所述電極ET上,并使得所述兩個自組裝單層彼此接觸。
2.如權利要求1所述的結,其中所述結是交叉結。
3.如權利要求1或2所述的結,其中,所述底電極和所述頂電極由對于各個電極來說獨立地選自金屬和/或半導體的材料制成,所述金屬優選選自包含過渡金屬、Mg、Ca、Zn、Cd、Al、Ga、In、Sn及其合金的組,所述半導體優選選自包含C、Si、Ge和金屬化合物的組,所述金屬化合物優選是選自Zn、Cd、Al、Ga、In和Sn的過渡金屬與選自周期表第15族
(N族)和第16族(O族)的元素的化合物。
4.如權利要求1-3中任意一項所述的結,其中用于所述底電極的材料和用于所述頂電極的材料是相同的或不同的。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的結,其中,所述第一功能分子(MB)和所述第二功能分子(MT)具有通式結構:
CON-ROD,
其中,由CON-表示的片段是結合到所述底電極(EB)或所述頂電極(ET)的連接基團,
由-ROD表示的片段包含非共軛(σ)基團,共軛(π)基團,或一個或多個非共軛基團(σ)和一個或多個共軛基團(π)的組合。
6.如權利要求5所述的結,其中CON-ROD中的所述連接基團CON-選自包含如下的組:S2CNH-或S2CNR-(二硫代氨基甲酸根,-1電荷),S-(硫醇根,-1電荷),Se-(硒酸根,-1電荷),Te-(碲酸根,-1電荷),S(SR)-(二硫化物,0電荷),S2C-(二硫代羧酸根,-1電荷),S2C=C(CN)-(乙烯二硫醇根,-2電荷);S2C=C(CN)C(O)O-(乙烯二硫醇根,-2電荷);S2C=C[C(O)-]2(乙烯二硫醇根,-2電荷),S2C2R-(1,2-二硫醇根,-2電荷),S2CO-(黃原酸根,-1電荷),S3P-(三硫代膦酸根,-2電荷),S2PR-(二硫代膦根,-1電荷),S2P(OR)-或S2P(R)O-(二硫代膦酸根,-1電荷),S2P(OR)O-(二硫代磷酸根,-1電荷),SOC-(硫代羧酸根,-1電荷),SC(NH2)NH-或SC(NHR)NH-(硫脲,0電荷),SC4H3-(噻吩,0電荷),S(R)-(硫醚,0電荷),CN-(異腈,0電荷),NC5H4-(吡啶,0電荷),P(R)(R’)-(膦,0電荷),O2C-(羧酸根,-1電荷),O2P(O)-(膦酸根,-2電荷),O2P(O)O-(磷酸根,-2電荷),OS(O)2-(磺酸根,-1電荷),OS(O)2O-(硫酸根,-1電荷),其中R和R’表示烷基、芳基或烷芳基取代基。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





