[發明專利]具有增益擴大級的放大器有效
| 申請號: | 200980123385.8 | 申請日: | 2009-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN102067443A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 秋參·那拉通;??ㄌm·阿尼魯丹;蘇文俊 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F1/32;H03F3/24 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 宋獻濤 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 增益 擴大 放大器 | ||
1.一種設備,其包含:
第一放大器級,其具有輸入信號和輸出信號;以及
增益擴大放大器級,其具有輸入信號和輸出信號,所述增益擴大放大器級的所述輸出信號耦合到所述第一放大器級的輸入,所述增益擴大放大器級將第一增益提供給第一輸入信號量值且將第二增益提供給第二輸入信號量值,所述第二輸入信號量值大于所述第一輸入信號量值,所述第二增益大于所述第一增益;且
所述增益擴大放大器級包含B類放大器或AB類放大器。
2.根據權利要求1所述的設備,所述第一放大器級包含反相器耦合的晶體管。
3.根據權利要求2所述的設備,所述第一放大器級進一步包含與所述反相器耦合的晶體管串聯耦合的晶體管以選擇性地啟用或停用所述第一放大器級。
4.根據權利要求1所述的設備,所述增益擴大放大器級包含并聯耦合到AB類放大器的B類放大器。
5.根據權利要求4所述的設備,所述增益擴大放大器級進一步包含偏流穩定電路,所述偏流穩定電路包含:
偏流電路,其復制所述增益擴大電路中的B類或AB類主放大器,所述偏流電路支持偏流Ibias1,所述偏流電路中的第一偏壓晶體管的偏壓耦合到所述主放大器中的對應晶體管的柵極偏壓。
6.根據權利要求5所述的設備,所述偏流Ibias1是從帶隙電壓參考導出的。
7.根據權利要求5所述的設備,所述偏流穩定電路進一步包含:
第一復制品電路,其復制所述增益擴大電路中的所述主放大器,所述第一復制品電路包含具有耦合到所述主放大器中的對應晶體管的所述偏壓的偏壓的晶體管;以及
差放大器,其放大第一輸入端子電壓與第二輸入端子電壓之間的差,所述第一輸入端子耦合到所述偏流電路的輸出電壓,所述第二輸入端子耦合到所述第一復制品電路的輸出電壓,所述差放大器產生耦合到所述第一偏壓晶體管的輸出電壓。
8.根據權利要求7所述的設備,所述主放大器進一步包含第二有源晶體管,所述第二有源晶體管的漏極耦合到所述第二有源晶體管的柵極。
9.根據權利要求7所述的設備,所述增益擴大放大器級包含并聯耦合到AB類放大器的B類放大器,所述增益擴大放大器級中的每一放大器包含偏流穩定電路。
10.根據權利要求2所述的設備,所述第一放大器級進一步包含偏流穩定電路,所述偏流穩定電路包含:
偏流電路,其復制所述第一放大器級中的主放大器,所述偏流電路支持偏流Ibias2,所述偏流電路中的第一偏壓晶體管的所述偏壓耦合到所述主放大器中的對應晶體管的所述柵極偏壓;
第一復制品電路,其復制所述第一放大器級中的所述主放大器,所述第一復制品電路包含具有耦合到所述主放大器中的對應晶體管的所述偏壓的偏壓的晶體管;以及
第一差放大器,其放大第一輸入端子電壓與第二輸入端子電壓之間的差,所述第一輸入端子耦合到所述偏流電路的輸出電壓,所述第二輸入端子耦合到所述第一復制品電路的輸出電壓,所述第一差放大器產生耦合到所述第一偏壓晶體管的輸出電壓。
11.根據權利要求2所述的設備,當所述設備的溫度小于參考溫度時,所述偏流Ibias2是從帶隙電壓參考導出的。
12.根據權利要求7所述的設備,當所述設備的溫度大于參考溫度時,所述偏流Ibias2與絕對溫度成比例。
13.根據權利要求12所述的設備,所述第一放大器級進一步包含輸出電壓穩定電路,所述輸出電壓穩定電路包含第二差放大器,所述第二差放大器放大第一輸入端子電壓與第二輸入端子電壓之間的差,所述第一端子耦合到所述第一復制品電路的輸出電壓,所述第二輸入端子耦合到參考電壓,所述第二差放大器產生輸出電壓,所述輸出電壓經耦合以偏置所述第一放大器級的所述主放大器中的第二有源晶體管。
14.根據權利要求13所述的設備,所述參考電壓為供應電壓的一半。
15.根據權利要求1所述的設備,所述增益擴大放大器級為發射器設備中的前置驅動器放大器級,所述第一放大器級為發射器設備中的驅動器放大器級。
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