[發明專利]熱傳遞結構

無效

• 申請號: 200980123248.4
• 申請日: 2009-06-18
• 公開（公告）號: CN102066109A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 羅杰·斯科特·堪珀斯;尚卡爾·克里斯南;艾倫·麥克·里昂;托德·理查德·沙拉孟
• 申請（專利權）人: 阿爾卡特朗訊美國公司
• 主分類號: B32B37/10
• 分類號: B32B37/10;B32B15/01
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙偉

1.一種裝置，包括：

第一基底，具有第一表面；

第二基底，具有面向所述第一表面的第二表面；以及

位于所述第一表面上的金屬凸起特征的陣列，每一個凸起特征將所述第一表面與所述第二表面相接觸，所述凸起特征的一部分經由壓縮力而變形。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述金屬可變形凸起特征在所述第一表面和所述第二表面的部分區域之間提供物理連接，其中，所述第一表面的區域是非平坦的。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，每一個所述金屬凸起特征形成與所述第一和第二表面直接連結的連續相的金屬。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述陣列是錐體或柱體的二維陣列。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述金屬凸起特征是鰭狀體。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，每一個所述金屬凸起特征包括兩個金屬層，每個金屬層包括不同的金屬。

7.一種裝置，包括：

金屬平坦基底，具有前表面和后表面，所述后表面與所述前表面相對；

金屬凸起特征的陣列，直接位于每一個所述表面上。

8.根據權利要求12所述的裝置，還包括：

第一集成電路，具有第一表面；以及

第二集成電路，具有第二表面，所述第一和第二表面中的每一個與所述陣列之一的凸起特征直接物理接觸。

9.一種方法，包括：

在電子器件的第一組件的表面上提供熱傳遞結構，其中，所述熱傳遞結構包括金屬可變形凸起特征；以及

將所述電子器件的第二組件壓向所述表面，使得所述熱傳遞結構位于所述第一組件和所述第二組件之間，使得至少一部分所述金屬可變形凸起特征變形，以與按壓之前的所述凸起特征的高度相比，減少其高度至少約百分之一。

10.一種制造方法，包括：

形成熱傳遞結構，包括在充分平坦的基底表面上形成壓力可變形金屬凸起特征的二維陣列；以及

其中，所述陣列具有針對由以下特征構成的組所選擇的屬性：

A)所述凸起特征是中空的；

B)所述凸起特征是電鍍結構；以及

C)所述凸起特征的第一組具有第一高度，所述凸起特征的第二組具有不同的第二高度。