[發(fā)明專利]導(dǎo)電性粒子、各向異性導(dǎo)電膜、接合體以及連接方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980123234.2
• 申請(qǐng)日: 2009-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN102089832A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石松朋之;大關(guān)裕樹;浜地浩史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼化學(xué)&信息部件株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B5/00
• 分類號(hào): H01B5/00;H01B5/16;H01R11/01;H05K1/14;H05K3/32
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶

1.一種包括高分子微粒及形成于所述高分子微粒表面的導(dǎo)電層的導(dǎo)電性粒子，其特征在于，所述導(dǎo)電層的最外層為鎳-鈀合金層。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性粒子，鎳-鈀合金層厚度為5nm～20nm。

3.如權(quán)利要求1至2任一所述的導(dǎo)電性粒子，鎳-鈀合金層是通過在高分子微粒表面負(fù)載鈀催化劑并使用促進(jìn)劑而形成。

4.如權(quán)利要求1至3任一所述的導(dǎo)電性粒子，導(dǎo)電層具有形成于高分子微粒表面的鍍鎳層。

5.如權(quán)利要求1至4任一所述的導(dǎo)電性粒子，導(dǎo)電層厚度為50nm～150nm。

6.如權(quán)利要求1至5任一所述的導(dǎo)電性粒子，在壓縮變形40％～70％時(shí)的壓縮彈性率為100kgf/mm²～1000kgf/mm²、壓縮變形恢復(fù)率為10％～70％。

7.如權(quán)利要求1至6任一所述的導(dǎo)電性粒子，其還包括以鎳、鈀、鈷及鉻中的至少任一種作為核的突起。

8.如權(quán)利要求1至7任一所述的導(dǎo)電性粒子，其用于氧化銦鋅(IZO，Indium?zinc?oxide)基板的連接。

9.一種包括權(quán)利要求1至8任一所述的導(dǎo)電性粒子及粘合劑的各向異性導(dǎo)電膜，其特征在于，所述粘合劑含有環(huán)氧樹脂及丙烯酸樹脂的至少任一種。

10.如權(quán)利要求9所述的各向異性導(dǎo)電膜，其含有相對(duì)于各向異性導(dǎo)電膜10質(zhì)量％～80質(zhì)量％的苯氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂及聚氨酯樹脂中的至少任一種。

11.如權(quán)利要求10所述的各向異性導(dǎo)電膜，其含有通過加熱進(jìn)行活化的潛在性固化劑。

12.如權(quán)利要求10所述的各向異性導(dǎo)電膜，其含有通過加熱產(chǎn)生游離原子團(tuán)的潛在性固化劑。

13.如權(quán)利要求9至12任一所述的各向異性導(dǎo)電膜，固化率在80％以上時(shí)，40℃以下的彈性率為0.5GPa以上，且玻璃化溫度為50℃以上。

14.一種接合體，其特征在于，其包括第1電路元件、與所述第1電路元件相向的第2電路元件以及設(shè)置在所述第1電路元件與所述第2電路元件之間的權(quán)利要求9至13任一所述的各向異性導(dǎo)電膜，所述第1電路元件中的電極與所述第2電路元件中的電極通過導(dǎo)電性粒子連接。

15.如權(quán)利要求14所述的接合體，第1電路元件及第2電路元件的至少任一種為IZO基板。

16.一種采用權(quán)利要求9至13任一所述的各向異性導(dǎo)電膜的連接方法，其特征在于，包括：

配設(shè)工序，在第1電路元件與第2電路元件之間配設(shè)所述各向異性導(dǎo)電膜；

擠壓工序，將所述第1電路元件向所述第2電路元件擠壓；以及，

連接工序，將所述第1電路元件中的電極與所述第2電路元件中的電極通過導(dǎo)電性粒子連接。

17.如權(quán)利要求16所述的連接方法，第1電路元件及第2電路元件的至少任一種為IZO基板。