[發(fā)明專利]對(duì)浸漬光刻膠具有選擇性的有機(jī)抗反射涂層蝕刻方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980123100.0
• 申請(qǐng)日: 2009-06-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102067290A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 海倫·H·朱;彼得·西里格利亞諾;S·M·列扎·薩賈迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/027
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 周文強(qiáng);李獻(xiàn)忠

1.一種在位于有機(jī)抗反射涂層(ARC)層之下和襯底之上的

蝕刻層形成蝕刻特征的方法，所述有機(jī)ARC層位于浸漬光刻用光刻膠掩模之下，包括：

將所述有所述蝕刻層的襯底、有機(jī)ARC層和浸漬光刻用光刻膠掩模放入處理室中；并且

打開(kāi)所述有機(jī)ARC層，包括：

讓有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物流入所述處理室，其中所述有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物包括：

蝕刻氣體；和

含有CO的聚合氣體；

讓所述有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物形成有機(jī)ARC打開(kāi)等離子體；

用所述有機(jī)ARC打開(kāi)等離子體蝕刻所述有機(jī)ARC層直至所述有機(jī)ARC層打開(kāi)；以及

在所述蝕刻層被完全蝕刻以前停止所述讓有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物流入所述處理室。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述聚合氣體還包括CH₃F。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，所述蝕刻氣體包括N₂和H₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括停止所述讓有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物流入以后蝕刻所述蝕刻層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述蝕刻所述蝕刻層使用浸漬光刻用光刻膠作為蝕刻掩模，以蝕刻所述蝕刻層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述ARC是BARC。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述光刻膠掩模是193系列或者更高等級(jí)浸漬光刻用光刻膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述有機(jī)ARC與所述浸漬光刻用光刻膠的打開(kāi)選擇比為5∶1。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在所述蝕刻所述蝕刻層后從所述處理室去除所述襯底，以便所述打開(kāi)所述有機(jī)ARC層和蝕刻所述蝕刻層在原位進(jìn)行。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述蝕刻氣體包括N₂和H₂。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括停止所述讓有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物流入以后蝕刻所述蝕刻層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述蝕刻所述蝕刻層使用浸漬光刻用光刻膠作為蝕刻掩模，以蝕刻所述蝕刻層。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述蝕刻所述蝕刻層后從所述處理室去除所述襯底，以便所述打開(kāi)所述有機(jī)ARC層和蝕刻所述蝕刻層在原位進(jìn)行。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述ARC是BARC。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠掩模是193系列或者更高等級(jí)浸漬光刻用光刻膠。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)ARC與所述浸漬光刻用光刻膠的打開(kāi)選擇比為5∶1。

17.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，所述蝕刻氣體包括N₂和H₂。

18.根據(jù)權(quán)利要求1-2和17中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，還包括停止所述讓有機(jī)ARC打開(kāi)氣體混合物流入以后蝕刻所述蝕刻層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述蝕刻所述蝕刻層使用浸漬光刻用光刻膠作為蝕刻掩模，以蝕刻所述蝕刻層。

20.根據(jù)權(quán)利要求1-2和17-19中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中所述ARC是BARC。

21.根據(jù)權(quán)利要求1-2和17-20中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中所述光刻膠掩模是193系列或者更高等級(jí)浸漬光刻用光刻膠。

22.根據(jù)權(quán)利要求1-2和17-21中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中所述有機(jī)ARC與所述浸漬光刻用光刻膠的打開(kāi)選擇比為5∶1。

23.根據(jù)權(quán)利要求18-22中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，還包括在所述蝕刻所述蝕刻層后從所述處理室去除所述襯底，以便所述打開(kāi)所述有機(jī)ARC層和蝕刻所述蝕刻層在原位進(jìn)行。