[發明專利]有機薄膜晶體管

無效

• 申請號: 200980123072.2
• 申請日: 2009-06-15
• 公開（公告）號: CN102084485A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 關谷隆司;中村浩昭
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417;H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種有機薄膜晶體管，是在基板上至少包含柵電極、絕緣體層、源電極、漏電極以及有機半導體層的底接觸型有機薄膜晶體管，其特征在于，

所述源電極及所述漏電極的至少一方具有氧化物層及金屬層層疊而成的層疊結構，

所述金屬層被用有機薄膜層進行了表面修飾。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中，在將所述氧化物層的功函數設為IPox，將所述金屬層的功函數設為IPmm時，所述IPox及IPmm滿足下述式(1)，

IPox＞IPmm??…(1)

3.根據權利要求1或2所述的有機薄膜晶體管，其中，在將所述氧化物層的功函數設為IPox，將所述有機半導體層的HOMO能級設為IPorg時，所述IPox及IPorg滿足下述式(2)，

IPox＞IPorg??…(2)

4.一種權利要求1～3中任意一項所述的有機薄膜晶體管的制造方法，其中，利用溶液工藝形成有機半導體層。

5.一種具備權利要求1～3中任意一項所述的有機薄膜晶體管的裝置。