[發(fā)明專利]熱互連和界面材料、它們的制造方法和用途

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980123038.5
• 申請日: 2009-04-18
• 公開（公告）號: CN102066488A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K.S.伯恩漢;L.丹克斯;M.W.維塞爾
• 申請（專利權(quán)）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;C08K3/10;C08J5/00;B32B27/38;H01L21/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐厚才;林毅斌

1.組合物，其包含：

環(huán)氧聚合物基質(zhì)；

導(dǎo)熱填料；

焊劑材料；和

基質(zhì)材料改性劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中所述環(huán)氧聚合物基質(zhì)由環(huán)氧預(yù)聚物的混合物形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的組合物，其進(jìn)一步包含交聯(lián)劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，基于所述組合物的體積其含有約1?vol%~約50?vol%的所述環(huán)氧聚合物基質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中所述導(dǎo)熱填料是選自由錫、鉍、銦、鉍-錫合金、銀金屬和銦-錫合金組成的組的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，基于所述組合物的體積其含有約60?vol%~約80?vol%的所述導(dǎo)熱填料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中所述焊劑材料是選自由銦-錫合金、銦-銀合金、銦-鉍合金、錫-銦-鉍合金、銦-錫-銀-鋅合金、銦基合金、錫-銀-銅合金、錫-鉍合金、鎵化合物和鎵合金組成的組的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，基于所述組合物的體積其含有約20?vol%~約50?vol%的所述焊劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中所述基質(zhì)材料改性劑是封端劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中所述基質(zhì)材料改性劑是粘度調(diào)節(jié)劑。

11.權(quán)利要求10的組合物，其中所述基質(zhì)材料改性劑是選自由tBPGE和AGE組成的組的至少一種的混合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的組合物，其中基于所述組合物的體積所述基質(zhì)材料改性劑是約0?vol%~約20?vol%的tBPGE和約0?vol%~約5vol%的AGE。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其具有至少約12W/m-K的熱導(dǎo)率、至少約8小時的適用期和在50μm?BLT少于約0.05K?cm²/W的熱阻抗。

14.傳熱性電子元件，其包含：

第一基底；

第二基底；和

位于所述第一和第二基底之間的由根據(jù)權(quán)利要求1的組合物形成的固化的組合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的元件，其中所述第一基底是散熱器或者熱沉。

16.根據(jù)權(quán)利要求14的元件，其中所述第二基底是裸片。

17.根據(jù)權(quán)利要求14的元件，其中所述裸片是硅晶片。

18.根據(jù)權(quán)利要求14的元件，其中所述裸片是金屬化的硅裸片。

19.制造傳熱性電子元件的方法，其包括：

將環(huán)氧聚合物基質(zhì)、導(dǎo)熱填料、焊劑材料和基質(zhì)材料改性劑混合并形成可固化的熱界面材料組合物；

將所述組合物置于第一和第二基底之間；

固化所述聚合物基質(zhì)；和

向所述基質(zhì)施加熱量，其足夠至少部分熔融至少一部分所述焊劑材料從而所述焊劑連接到所述填料中的顆粒，以在所述基底之間并且穿過所述基質(zhì)形成多個連續(xù)的傳熱通路。

20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中采用在約120℃~約170℃的加熱，所述基質(zhì)被固化并且所述焊劑被至少部分熔融。