[發明專利]用于太陽能電池的基板和用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極

無效

• 申請號: 200980122754.1
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN102106033A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 澤田正弘;永金知浩;坂本明彥;瀨戶直;藤本智史
• 申請（專利權）人: 日本電氣硝子株式會社
• 主分類號: H01M14/00
• 分類號: H01M14/00;H01L31/04
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;楊本良

1.一種用于太陽能電池的基板，該用于太陽能電池的基板是通過將透明導電膜形成在玻璃基板上而制成的，其特征在于，所述玻璃基板的熱膨脹系數為50×10^-7～110×10^-7/℃。

2.根據權利要求1所述的用于太陽能電池的基板，其特征在于，該太陽能電池為色素增感型太陽能電池。

3.根據權利要求1或2所述的用于太陽能電池的基板，其特征在于，所述玻璃基板的應變點為525℃以上。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的用于太陽能電池的基板，其特征在于，所述玻璃基板的厚度為2mm以下。

5.一種用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，該氧化物半導體電極是通過將厚度為5～50μm的氧化物半導體層形成在權利要求1～4中的任一項所述的用于太陽能電池的基板的透明導電膜上而制成。

6.根據權利要求5所述的用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，所述氧化物半導體層包含氧化鈦。

7.根據權利要求5或6所述的用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，所述氧化物半導體層由透光性不同的多個層構成。

8.根據權利要求5～7中的任一項所述的用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，所述氧化物半導體層由氧化物粒子的粒子直徑分布不同的多個層構成。

9.根據權利要求5～8中的任一項所述的用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，所述氧化物半導體層包含由一次粒子的平均直徑為30nm以下的氧化物粒子構成的層。

10.一種用于太陽能電池的基板，該用于太陽能電池的基板是通過將由摻氟氧化錫或摻銻氧化錫構成的導電膜形成在具有0.05～2mm的厚度的玻璃基板上而制成的，其特征在于，該玻璃基板的應變點為525℃以上。

11.根據權利要求10所述的用于太陽能電池的基板，其特征在于，所述太陽能電池為色素增感型太陽能電池。

12.根據權利要求10或11所述的用于太陽能電池的基板，其特征在于，所述玻璃基板的熱膨脹系數為70×10^-7～110×10^-7/℃。

13.一種用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，該氧化物半導體電極通過將厚度為5～50μm的氧化物半導體層形成在權利要求10～12中的任一項所述的用于太陽能電池的基板的導電膜上而制成。

14.根據權利要求13所述的用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，所述氧化物半導體層由一次粒子的平均直徑為30nm以下的氧化物粒子構成。

15.根據權利要求13或14所述的用于色素增感型太陽能電池的氧化物半導體電極，其特征在于，所述氧化物半導體層的氣孔率為60～80％。