[發(fā)明專利]用于存儲(chǔ)器的檢測和糾正錯(cuò)誤,存儲(chǔ)器的位狀態(tài)具有不同的錯(cuò)誤抗力有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980122673.1 | 申請日: | 2009-06-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102084426A | 公開(公告)日: | 2011-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·布熱羅爾;T·卡里埃;F·米勒 | 申請(專利權(quán))人: | 歐洲航空防務(wù)及航天公司EADS法國;阿斯特里姆簡易股份公司 |
| 主分類號(hào): | G11C5/00 | 分類號(hào): | G11C5/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 存儲(chǔ)器 檢測 糾正 錯(cuò)誤 狀態(tài) 具有 不同 抗力 | ||
1.一種存儲(chǔ)器,包括
-具有不對稱表現(xiàn)的單或多個(gè)存儲(chǔ)單元,
-不對稱表現(xiàn),由處于第一電子狀態(tài)的存儲(chǔ)單元在受輻射侵害時(shí)向第二電子狀態(tài)改變狀態(tài)的靈敏性引起,這種從第一狀態(tài)向第二狀態(tài)過渡的靈敏性比從第二狀態(tài)向第一狀態(tài)過渡的靈敏性小,
-由具有不對稱表現(xiàn)的存儲(chǔ)單元形成的存儲(chǔ)單元對,
-一個(gè)單元對的第一單元和所述單元對的第二單元,所述第一單元載有第一二進(jìn)制信息,所述第二單元載有第二二進(jìn)制信息,
-用于檢測一個(gè)存儲(chǔ)單元對的存儲(chǔ)單元載有兩個(gè)相沖突的信息而不是兩個(gè)相一致的信息的檢測器,和
其特征在于包括
-單元對的載有與第一狀態(tài)相應(yīng)的信息的參考存儲(chǔ)單元,
-邏輯線路,用于根據(jù)單元對的所述參考存儲(chǔ)單元,當(dāng)單元對的單元狀態(tài)相互沖突時(shí),確定單元對中處于第二狀態(tài)的存儲(chǔ)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器,其特征在于
-第二信息對應(yīng)于與第一信息的電子狀態(tài)相同的電子狀態(tài),以使這些信息相一致,
-相沖突的信息則是對應(yīng)于互補(bǔ)電子狀態(tài)的信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器,其特征在于
-第二信息對應(yīng)于與第一信息的電子狀態(tài)互補(bǔ)的電子狀態(tài),以使這些信息相一致,
-相沖突的信息則是對應(yīng)于相同電子狀態(tài)的信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器,其特征在于
-檢測器檢測所述單元中由于輻射而改變狀態(tài)的單元,和
-邏輯線路確定另一個(gè)單元為處于正確狀態(tài)的單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器,其特征在于
-單元對的參考存儲(chǔ)單元處于第一狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器,其特征在于它為DRAM或EPROM類型的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器,其特征在于包括:
-與被雙工的存儲(chǔ)單元連接的位行,
-與所述位行連接的“異或”門,
-由所述“異或”門控制的雙工器,
-所述雙工器在輸入端接收所述位行之一和來自所述參考單元的一個(gè)位行。
8.在個(gè)人型計(jì)算機(jī)中使用根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器。
9.一種檢測和糾正存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的方法,所述存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)點(diǎn)為具有不對稱表現(xiàn)的,其中
-將要被糾正的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在兩個(gè)數(shù)據(jù)庫中,
-檢測在一個(gè)數(shù)據(jù)庫中的一個(gè)錯(cuò)誤和
-用另一個(gè)庫的內(nèi)容來糾正這個(gè)錯(cuò)誤,
其特征在于
-不對稱表現(xiàn),由處于第一電子狀態(tài)的存儲(chǔ)單元在受輻射侵害時(shí)向第二電子狀態(tài)改變狀態(tài)的靈敏性引起,這種從第一狀態(tài)向第二狀態(tài)過渡的靈敏性比從第二狀態(tài)向第一狀態(tài)過渡的靈敏性小,
-借助于具有不對稱表現(xiàn)的存儲(chǔ)單元形成存儲(chǔ)單元對,
-一個(gè)單元對的第一單元和所述單元對的第二單元,所述第一單元載有第一二進(jìn)制信息,所述第二單元載有第二二進(jìn)制信息,
-將與第一狀態(tài)相對應(yīng)的信息存儲(chǔ)在單元對的參考存儲(chǔ)單元中,
-檢測單元對的存儲(chǔ)單元是否載有兩個(gè)相沖突的信息而不是兩個(gè)相一致的信息,和
-借助于邏輯線路根據(jù)單元對的參考存儲(chǔ)單元確定單元對的存儲(chǔ)單元中處于正確狀態(tài)的存儲(chǔ)單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于在檢測到一個(gè)錯(cuò)誤后糾正這個(gè)錯(cuò)誤。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于歐洲航空防務(wù)及航天公司EADS法國;阿斯特里姆簡易股份公司,未經(jīng)歐洲航空防務(wù)及航天公司EADS法國;阿斯特里姆簡易股份公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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