[發明專利]用于改善的傳感器靈活性和改善的氣隙性能的AMR陣列磁性設計有效
| 申請號： | 200980122477.4 | 申請日： | 2009-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN102066965A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發明（設計）人： | A.德米特里夫;K.E.范奧斯特蘭 | 申請（專利權）人： | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09;G01B7/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蔣駿 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 改善 傳感器 靈活性 性能 amr 陣列 磁性 設計 | ||
1.?一種AMR位置感測系統，包括：?
兩個磁鐵，其位于磁鐵載體中，其中，所述兩個磁鐵遍及所述兩個磁鐵的長度被磁化，并且其中，所述磁鐵位于所述磁鐵載體中；以及?
多個AMR位置傳感器，其位于所述磁鐵載體下面所述兩個磁鐵之間，其中，所述多個AMR位置傳感器與磁通線接觸以便生成對氣隙變化具有較低敏感度的信號，使得所述磁通線的角不相對于氣隙變化而變，并且其中，所述兩個磁鐵之間的角類似于由所述多個AMR位置傳感器的表面上的AMR滑槽形成的角。
2.?權利要求1的系統，其中，所述多個AMR位置傳感器檢測與所述磁鐵載體相關聯的直線位置的變化。
3.?權利要求1的系統，其中，所述多個AMR位置傳感器檢測與所述磁鐵載體相關聯的角位置的變化。
4.?權利要求1的系統，其中，所述多個AMR位置傳感器包括磁阻感測元件陣列。
5.?一種AMR位置感測系統，包括：?
兩個磁鐵，其位于磁鐵載體中，其中，所述兩個磁鐵遍及所述兩個磁鐵的長度被磁化，并且其中，所述磁鐵位于所述磁鐵載體中；以及?
多個AMR位置傳感器，其包括磁阻感測元件陣列，所述多個AMR位置傳感器位于所述磁鐵載體下面所述兩個磁鐵之間，其中，所述多個AMR位置傳感器與磁通線接觸以便生成對氣隙變化具有較低敏感度的信號，使得所述磁通線的角不相對于氣隙變化而變，并且其中，所述兩個磁鐵之間的角類似于由所述多個AMR位置傳感器的表面上的AMR滑槽形成的角。
6.?權利要求5的系統，其中，所述多個AMR位置傳感器檢測與所述磁鐵載體相關聯的直線位置的變化。
7.?權利要求5的系統，其中，所述多個AMR位置傳感器檢測與所述磁鐵載體相關聯的角位置的變化。
8.?權利要求5的系統，其中，所述多個AMR位置傳感器之中的每個AMR位置傳感器包括以AMR位置傳感器的旋轉陣列配置的旋轉位置傳感器。
9.?權利要求8的系統，其中，所述AMR位置傳感器旋轉陣列在沿著旋轉磁化方向移動的同時檢測所述磁鐵載體的位置。
10.?權利要求5的系統，其中，所述兩個磁鐵包括彼此相距一定距離地定位的第一磁鐵和第二磁鐵以從而在所述兩個磁鐵之間產生所述磁通線。
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