[發(fā)明專(zhuān)利]磁阻抗傳感器元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980122231.7
• 申請(qǐng)日: 2009-06-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102057290A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本藏義信;山本道治;西畑克彥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)知制鋼株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G01R33/02
• 分類(lèi)號(hào): G01R33/02;H01L43/00
• 代理公司: 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 徐申民

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種使用特性根據(jù)外部磁場(chǎng)而發(fā)生變化的非晶磁性線的磁阻抗傳感器元件。

背景技術(shù)

作為磁性方位傳感器等所使用的傳感器元件，已開(kāi)發(fā)了使用特性根據(jù)外部磁場(chǎng)發(fā)生變化的非晶磁性線的磁阻抗傳感器元件(以下，稱(chēng)為“MI傳感器元件”)(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

該MI傳感器元件具有由非磁性體構(gòu)成的基體、保持在該基體上的非晶磁性線、形成為該非晶磁性線貫通其內(nèi)側(cè)的包覆絕緣體、和形成在該包覆絕緣體的周?chē)臋z測(cè)線圈。

這樣構(gòu)成的MI傳感器元件是搭載在例如手機(jī)等的便攜終端設(shè)備等上的，因此伴隨著設(shè)備的小型化、薄型化的要求，也要求MI傳感器元件小型化。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2005/008268號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

但是，為了確保MI傳感器元件的靈敏度，非晶磁性線的長(zhǎng)度是必要的。

即，非晶磁性線的長(zhǎng)度越長(zhǎng)，其內(nèi)部產(chǎn)生的退磁磁場(chǎng)就越小，由于可以抑制退磁磁場(chǎng)的影響，因此能夠容易地增大MI傳感器元件的輸出。又，使得非晶磁性線越長(zhǎng)，越能增加通過(guò)包覆絕緣體形成在其周?chē)臋z測(cè)線圈的繞卷數(shù)，因此可以增大MI傳感器元件的輸出。

因此，期待有盡可能地增長(zhǎng)非晶磁性線的長(zhǎng)度，卻還能夠?qū)崿F(xiàn)MI傳感器元件整體的小型化的技術(shù)。

尤其是在將MI傳感器元件安裝在IC芯片或者搭載該IC芯片的IC基板上時(shí)，使得非晶磁性線的長(zhǎng)度方向?yàn)镮C芯片以及IC基板的主面的法線方向(Z軸方向)的情況下，如果要增大非晶磁性線的長(zhǎng)度，則MI傳感器元件會(huì)在IC芯片的厚度方向上增大。因此，在將安裝有MI傳感器元件的IC芯片內(nèi)置在便攜終端設(shè)備等時(shí)，存在著設(shè)備的薄型化困難這樣的問(wèn)題。

因此，非晶磁性線的長(zhǎng)度和其長(zhǎng)度方向上的MI傳感器元件整體的長(zhǎng)度盡可能相等是比較理想的。

但是，對(duì)于以往的Z軸用的MI傳感器元件，由于制造上的原因，使得非晶磁性線的長(zhǎng)度和MI傳感器元件整體的長(zhǎng)度相等是比較困難的。

即，制造MI傳感器元件時(shí)，是在將非晶磁性線、檢測(cè)線圈等形成在作為多個(gè)MI傳感器元件的基體的母材的基體晶片上之后，將其截?cái)嗟玫礁鱾€(gè)MI傳感器元件的(參照實(shí)施例1、圖5、圖6)。在這里，基本上不會(huì)在其切割面上形成電極端子等的圖案。在切割面上形成圖案就是在切割之后分別在各個(gè)MI傳感器元件上形成圖案，從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來(lái)看是不現(xiàn)實(shí)的。如果分別在各個(gè)MI傳感器元件上形成圖案，則與在基體晶片的狀態(tài)下形成圖案時(shí)相比，顯著地降低了生產(chǎn)效率。

觀察上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1的圖8所記載的Z軸用的MI傳感器元件時(shí)，發(fā)現(xiàn)在作為切割面的基體的上表面上形成有與非晶磁性線以及檢測(cè)線圈電連接的電極端子，實(shí)際上，形成有電極端子的部分成為從基體的上表面低一級(jí)的臺(tái)階部(參照后述比較例)。該臺(tái)階部是該專(zhuān)利文獻(xiàn)的發(fā)明的主要部分之外的部分，因此在該附圖省略了該部分。

即，為了在切割前的基體晶片的狀態(tài)下一次形成電極端子，在基體晶片上的對(duì)應(yīng)于與非晶磁性線正交的基體的邊的位置形成溝槽。然后，采用噴鍍或電鍍?cè)谠摐喜鄣囊徊糠稚闲纬呻姌O端子。其后，通過(guò)切割機(jī)等對(duì)基體晶片進(jìn)行切割，但要不削到形成于該溝槽的一部分的電極端子，以獲得各個(gè)MI傳感器元件。由此，殘留有溝槽的一部分，從而形成上述臺(tái)階部。

那樣的話，不能使MI傳感器元件比基體更向長(zhǎng)度方向突出，因此該一側(cè)的端部配置在基體的臺(tái)階部?jī)?nèi)側(cè)。因此，不得不使非晶磁性線的長(zhǎng)度比基體的長(zhǎng)度短與至少臺(tái)階部的高度相應(yīng)的程度，MI傳感器元件的靈敏度降低。

又，在基體上設(shè)置上述那樣的溝槽的話，需要該溝槽的加工工序，因此制造成本增高，且難以提高生產(chǎn)效率。

又，為了形成溝槽，就要為確保基體的強(qiáng)度而增大基體的厚度，這樣MI傳感器元件的小型化就比較困難了。又，在進(jìn)行溝槽加工時(shí)，基體使用的是強(qiáng)度比較低的材料，以使得該切削加工容易進(jìn)行。這樣的話，就需要與之相應(yīng)地進(jìn)一步增加基體的厚度，MI傳感器元件的小型化就變得更困難了。