[發(fā)明專利]電子元器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980122210.5
• 申請(qǐng)日: 2009-05-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102057452A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中辻陽(yáng)一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H01F17/04
• 分類號(hào): H01F17/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種電子元器件，其特征在于，包括：

將多個(gè)第一絕緣層層疊而成的層疊體；

設(shè)置在所述層疊體內(nèi)的線圈；以及

第二絕緣層，該第二絕緣層是在沿所述線圈的線圈軸方向俯視時(shí)、以與該線圈隔開(kāi)間隙的狀態(tài)設(shè)置于所述層疊體的絕緣層，且具有比所述第一絕緣層要低的磁導(dǎo)率。

2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，

所述第二絕緣層在沿所述線圈軸方向俯視時(shí)、設(shè)置在所述線圈的外側(cè)。

3.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，

所述第二絕緣層在沿所述線圈軸方向俯視時(shí)、設(shè)置在所述線圈的內(nèi)側(cè)。

4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，

線圈由與所述多個(gè)第一絕緣層一起層疊的多個(gè)線圈電極構(gòu)成，

所述線圈軸方向與層疊方向平行。

5.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，

所述線圈軸方向與層疊方向正交。

6.如權(quán)利要求5所述的電子元器件，其特征在于，

所述線圈是螺旋狀線圈，包含：

多個(gè)第一帶狀電極，該多個(gè)第一帶狀電極形成于設(shè)置在層疊方向的相對(duì)上側(cè)的所述第一絕緣層；

多個(gè)第二帶狀電極，該多個(gè)第二帶狀電極形成于設(shè)置在層疊方向的相對(duì)下側(cè)的所述第一絕緣層；以及

多個(gè)連接部，該多個(gè)連接部形成為在所述層疊體中沿層疊方向延伸，并將所述第一帶狀電極與所述第二帶狀電極連接，

所述第二絕緣層分別設(shè)置在形成有所述第一帶狀電極的所述第一絕緣層的層疊方向的更上側(cè)、以及形成有所述第二帶狀電極的所述第一絕緣層的層疊方向的更下側(cè)。

7.如權(quán)利要求5所述的電子元器件，其特征在于，

所述線圈是螺旋狀線圈，包含：

多個(gè)第一帶狀電極，該多個(gè)第一帶狀電極形成于設(shè)置在層疊方向的相對(duì)上側(cè)的所述第一絕緣層；

多個(gè)第二帶狀電極，該多個(gè)第二帶狀電極形成于設(shè)置在層疊方向的相對(duì)下側(cè)的所述第一絕緣層；以及

多個(gè)連接部，該多個(gè)連接部形成為在所述層疊體中沿層疊方向延伸，并將所述第一帶狀電極與所述第二帶狀電極連接，

所述第二絕緣層設(shè)置在形成有所述第一帶狀電極的所述第一絕緣層、與形成有所述第二帶狀電極的所述第一絕緣層之間。

8.如權(quán)利要求6或7所述的電子元器件，其特征在于，

所述第二絕緣層具有與所述第一絕緣層相同的形狀。

9.如權(quán)利要求7所述的電子元器件，其特征在于，

所述第二絕緣層在所述線圈軸方向與所述第一絕緣層交替排列。

10.如權(quán)利要求9所述的電子元器件，其特征在于，

所述第二絕緣層是非磁性體層。

11.如權(quán)利要求1至10的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，

所述線圈與所述第二絕緣層之間的間隙為10μm以上150μm以下。