[發明專利]包括碳基存儲器元件的存儲器單元及其形成方法

有效

• 申請號: 200980122112.1
• 申請日: 2009-04-10
• 公開（公告）號: CN102067312A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 羅伊·E·肖伊爾萊因;阿爾珀·伊爾克巴哈;阿普里爾·D·施里克
• 申請（專利權）人: 桑迪士克3D有限責任公司
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/102;H01L51/00;G11C13/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種形成存儲器單元的方法，包括：

在襯底上形成操縱元件；以及

形成與所述操縱元件耦接的存儲器元件，其中所述存儲器元件包括具有不大于十個原子層的厚度的碳基材料。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述操縱元件包括p-n或者p-i-n二極管。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述操縱元件包括多晶硅二極管。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述存儲器元件包括可逆電阻切換元件。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述碳基材料包括無定形碳。

6.如權利要求1所述的方法，其中形成所述存儲器元件包括使用等離子體增強化學氣相沉積技術來沉積所述碳基材料。

7.如權利要求6所述的方法，其中在大約300℃和大約600℃之間的處理溫度下進行所述等離子體增強化學氣相沉積技術。

8.如權利要求7所述的方法，其中在大約300℃和大約450℃之間的處理溫度下進行所述等離子體增強化學氣相沉積技術。

9.一種使用權利要求1的方法形成的存儲器單元。

10.一種形成存儲器單元的方法，包括：

在襯底上形成操縱元件；以及

通過重復進行以下步驟形成與所述操縱元件耦接的存儲器元件：

形成碳基材料的層，該層具有大約一個單層的厚度；以及

使所述碳基材料的層經歷熱退火。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述操縱元件包括p-n或者p-i-n二極管。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述操縱元件包括多晶硅二極管。

13.如權利要求10所述的方法，其中所述存儲器元件包括可逆電阻切換元件。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述碳基材料包括無定形碳。

15.如權利要求10所述的方法，其中形成所述碳基材料的層包括使用等離子體增強化學氣相沉積技術來沉積所述碳基材料。

16.如權利要求15所述的方法，其中在大約300℃和大約900℃之間的處理溫度下進行所述等離子體增強化學氣相沉積技術.

17.如權利要求15所述的方法，其中在大約300℃和大約600℃之間的處理溫度下進行所述等離子體增強化學氣相沉積技術。

18.如權利要求15所述的方法，其中在大約300℃和大約450℃之間的處理溫度下進行所述等離子體增強化學氣相沉積技術。

19.如權利要求10所述的方法，其中在大約250℃和大約850℃之間的處理溫度下進行所述熱退火。

20.如權利要求10所述的方法，其中在大約350℃和大約650℃之間的處理溫度下進行所述熱退火。

21.如權利要求10所述的方法，其中在大約600℃的處理溫度下進行所述熱退火。

22.如權利要求10所述的方法，其中使用非氧化的周圍環境進行所述熱退火。

23.如權利要求10所述的方法，其中一個單層包括大約一個原子層的碳基材料。

24.一種使用權利要求10的方法形成的存儲器單元。

25.一組存儲器單元，包括：

在襯底上的操縱元件；以及

與所述操縱元件耦接的存儲器元件，其中所述存儲器元件包括具有不大于十個原子層的厚度的碳基材料。