[發(fā)明專利]具有水蒸氣的UV固化方法與設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980122000.6
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號: CN102057479A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·W·何;S·A·亨德里克森;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;S·巴錄佳;T·諾瓦克
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種固化一形成于一基材上的一溝槽中的介電材料的方法，包括：

轉(zhuǎn)移該基材進(jìn)入一腔室的一處理區(qū)中，該處理區(qū)設(shè)以暴露紫外光輻射給該基材；

流動(dòng)一氣體混合物進(jìn)入該腔室的處理區(qū)中，其中該氣體混合物包括一或更多水蒸汽、臭氧與過氧化氫；

暴露該氣體混合物于紫外光輻射以產(chǎn)生一氫氧自由基；及

暴露該基材于紫外光輻射。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在一氮環(huán)境中熱退火該基材，其中該氮環(huán)境提供于該腔室的處理區(qū)中。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

轉(zhuǎn)移該基材進(jìn)入一第二腔室中；及

在一氮環(huán)境中熱退火該基材。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該氣體混合物包括水蒸汽與臭氧。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該氣體混合物包括水蒸汽與過氧化氫。

6.一種在一基材上的一溝槽中形成介電材料的方法，包括：

轉(zhuǎn)移該基材進(jìn)入一多-腔室處理系統(tǒng)中的一第一處理腔室的一處理區(qū)中，其中該第一處理腔室設(shè)以沉積該介電材料于該基材上；

以一第一流率將一第一氣體混合物引導(dǎo)進(jìn)入該第一處理腔室的處理區(qū)中；

以一第二流率將一第二氣體混合物引導(dǎo)進(jìn)入該第一處理腔室的處理區(qū)中；其中該第二流率大于該第一流率；

將該基材自該第一處理腔室的處理區(qū)轉(zhuǎn)移進(jìn)入該多-腔室處理系統(tǒng)中的一第二處理腔室的處理區(qū)中，其中該第二處理腔室設(shè)以暴露該基材于紫外光輻射；

將一第三氣體混合物流入該第二處理腔室的處理區(qū)中，其中該第三氣體混合物包括一或更多水蒸汽、臭氧與過氧化氫；

暴露該第三氣體混合物于紫外光輻射以產(chǎn)生一氫氧自由基；及

暴露該基材于紫外光輻射。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該第一與第二氣體混合物各自包括一氧化氣體前體、一含硅前體與一含氫氧自由基前體，且其中該第二氣體混合物的含硅前體/氧化氣體前體的比例高于該第一氣體混合物。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括：

將氮?dú)庖龑?dǎo)進(jìn)入該第二處理腔室的處理區(qū)中；及

在一氮?dú)夥諊袩嵬嘶鹪摶摹?/p>

9.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括：

將該基材自該第二處理腔室轉(zhuǎn)移至該多-腔室處理系統(tǒng)中的一第三處理腔室；及

在一氮環(huán)境中熱退火該基材。

10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該第三氣體混合物包括水蒸汽與臭氧。

11.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該第三氣體混合物包括水蒸汽與過氧化氫。

12.一種多-腔室處理系統(tǒng)，包括：

一第一腔室，設(shè)以沉積一介電材料；

一第二腔室，設(shè)以固化該介電材料；

一轉(zhuǎn)移機(jī)器人，設(shè)以將一基材自該第一腔室轉(zhuǎn)移至該第二腔室；

一蒸汽輸送系統(tǒng)，流體連通于該第二腔室；及

一系統(tǒng)控制器，經(jīng)程序化以提供控制信號好：

以一第一與第二速率將該介電材料沉積進(jìn)入該基材上形成的一溝槽中，其中該第二速率高于該第一第一速率；

通過該蒸汽輸送系統(tǒng)將一氣體混合物引導(dǎo)進(jìn)入該第二腔室中，該氣體混合物包括一或更多水蒸汽、臭氧與過氧化氫；及

暴露該氣體混合物于紫外光輻射。

13.如權(quán)利要求12所述的多-腔室處理系統(tǒng)，其中該蒸汽輸送系統(tǒng)與該第二腔室包括具有鈍化表面層的部件，且其中該系統(tǒng)控制器進(jìn)一步經(jīng)程序化以提供控制信號好暴露該基材于紫外光輻射。

14.如權(quán)利要求13所述的多-腔室處理系統(tǒng)，其中該第二腔室進(jìn)一步設(shè)以在一氮環(huán)境中熱退火該基材。

15.如權(quán)利要求13所述的多-腔室處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一設(shè)以在一氮環(huán)境中熱退火該基材的第三處理腔室，其中該轉(zhuǎn)移機(jī)器人進(jìn)一步設(shè)以將該基材自該第二腔室轉(zhuǎn)移至該第三腔室。