[發明專利]含磷摻雜劑以及使用含磷摻雜劑在半導體襯底中形成磷摻雜區域的方法

有效

• 申請號: 200980121738.0
• 申請日: 2009-08-18
• 公開（公告）號: CN102057466A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 黃紅敏;C·高;Z·丁;A·彭;劉亞群
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曹小剛;林毅斌

1.含磷摻雜劑，包含：

磷源，其包含含磷鹽、含磷酸、含磷陰離子或其組合；

堿性材料、源于堿性材料的陽離子或其組合；和

液體介質。

2.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述磷源包含無機的非金屬的含磷酸、無機的非金屬的含磷鹽或其組合。

3.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述磷源包含選自由如下物質組成的組的含磷酸：磷酸(H₃PO₄)、亞磷酸(H₃PO₃)、次磷酸(H₃PO₂)、焦磷酸(H₄P₂O₇)以及具有式HR₁R₂PO₂和H₂RPO₃的酸，其中R、R₁和R₂是烷基、芳基或其組合。

4.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述磷源包含選自由如下物質組成的組的含磷鹽：磷酸銨((NH₄)₃PO₄)、磷酸二氫銨(NH₄H₂PO₄)、磷酸氫二銨((NH₄)₂HPO₄)、亞磷酸銨((NH₄)₃PO₃)、亞磷酸氫二銨((NH₄)₂HPO₃)、亞磷酸二氫銨(NH₄H₂PO₃)、次磷酸銨((NH₄)₃PO₂)、次磷酸氫二銨((NH₄)₂HPO₂)、次磷酸二氫銨(NH₄H₂PO₂)、焦磷酸銨((NH₄)₄P₂O₄)、焦磷酸氫三銨((NH₄)₃HP₂O₄)、焦磷酸二氫二銨((NH₄)₂H₂P₂O₄)、焦磷酸三氫銨(NH₄H₃P₂O₄)、以及具有式(NR₃R₄R₅R₆)₃PO₄、(NR₃R₄R₅H)₃PO₄、(NR₃R₄H₂)₃PO₄、(NR₃H₃)₃PO₄的磷酸鹽，其中R₃、R₄、R₅和R₆是烷基、芳基或其組合。

5.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述含磷摻雜劑具有大約0至大約10的pH。

6.如權利要求5所述的含磷摻雜劑，其中所述含磷摻雜劑具有大約6至大約7的pH。

7.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述磷源中的磷元素構成不大于大約60重量％的所述含磷摻雜劑。

8.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述液體介質選自由醇、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、乙酸乙酯、二甲基甲酰胺(DMF)、甘油、四氫呋喃(THF)、水及其混合物組成的組。

9.如權利要求1所述的含磷摻雜劑，其中所述液體介質構成不大于大約95體積％的所述含磷摻雜劑。