[發(fā)明專利]氮化合物半導(dǎo)體基板的制造方法和氮化合物半導(dǎo)體基板、單晶SiC基板的制造方法和單晶SiC基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980121625.0
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN102057463A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 川村啟介;泉勝俊;淺村英俊;橫山敬志
• 申請（專利權(quán)）人: 愛沃特株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/76;H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種氮化合物半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，進行如下的工序：

準備具有規(guī)定厚度的表面Si層和埋入絕緣層的Si基板的工序；

將所述Si基板在碳系氣體氣氛中加熱使所述表面Si層變成單晶SiC層時，使與所述埋入絕緣層之間界面附近的Si層作為殘存Si層殘留的工序；以及

再使氮化合物半導(dǎo)體在表面的單晶SiC上外延生長的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化合物半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在所述改性了的單晶SiC層的上再使單晶SiC外延生長，使氮化合物半導(dǎo)體在所述外延生長了的單晶SiC上外延生長。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化合物半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，所述殘存Si層的厚度為3～20nm。

4.一種氮化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，在具有埋入絕緣層的單晶Si基板的比所述埋入絕緣層更靠近表面的表面?zhèn)刃纬捎袉尉iC層，在所述單晶SiC層與埋入絕緣層之間的界面附近形成有Si層，并且在所述單晶SiC層上形成有氮化合物半導(dǎo)體層。

5.一種單晶SiC基板的制造方法，其是準備具有規(guī)定厚度的表面Si層和埋入絕緣層的Si基板，將所述Si基板在碳系氣體氣氛中加熱使所述表面Si層變成單晶SiC層的單晶SiC基板的制造方法，其中，使所述表面Si層變成單晶SiC層時，使與埋入絕緣層之間界面附近的Si層作為殘存Si層殘留。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶SiC基板的制造方法，通過對在與所述埋入絕緣層之間的界面附近殘留有殘存Si層的單晶SiC基板進行外延生長，從而再使單晶SiC生長于表面的單晶SiC層的上層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的單晶SiC基板的制造方法，其中，所述殘存Si層的厚度為3～20nm。

8.一種單晶SiC基板，其是在具有埋入絕緣層的單晶Si基板的比所述埋入絕緣層更靠近表面的表面?zhèn)龋纬捎袉尉iC層的單晶SiC基板，其中，在所述單晶SiC層與埋入絕緣層之間的界面附近形成有Si層。