[發(fā)明專利]改進(jìn)的聚合物包裹的碳納米管近紅外光活性器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980120718.1
• 申請(qǐng)日: 2009-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102057499A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·R·福里斯特;J·D·茲米爾曼;M·S·阿諾德;R·朗特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 密執(zhí)安州立大學(xué)董事會(huì)
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042;H01L31/101
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種器件，該器件包含：

第一電極；

第二電極；

位于第一電極和第二電極之間并且與它們電連接的光活性區(qū)域，該光活性區(qū)域包含：

第一有機(jī)光活性層，其含有形成在第一電極上方的第一施主材料，其中所述第一施主材料含有光活性聚合物包裹的碳納米管；

第二有機(jī)光活性層，其含有形成在第一有機(jī)光活性材料層上方的第一受主材料；和

位于第一有機(jī)光活性材料層和第二有機(jī)光活性材料層之間的一個(gè)或多個(gè)附加的有機(jī)光活性材料層，其中所述附加的有機(jī)光活性材料層相對(duì)于第一受主材料充當(dāng)施主或相對(duì)于第一施主材料充當(dāng)受主。

2.權(quán)利要求1的器件，其中所述一個(gè)或多個(gè)附加的有機(jī)光活性材料層包含具有多個(gè)從中穿過(guò)的開(kāi)孔的整體層。

3.權(quán)利要求2的器件，其中所述第一有機(jī)光活性材料層與第二有機(jī)光活性材料層通過(guò)所述開(kāi)孔直接接觸。

4.權(quán)利要求1的器件，其中所述一個(gè)或多個(gè)附加的有機(jī)光活性材料層包含不連續(xù)層，所述不連續(xù)層具有多個(gè)島狀物。

5.權(quán)利要求1的器件，其中所述第一有機(jī)光活性材料層與第二有機(jī)光活性材料層在所述島狀物之間直接接觸。

6.權(quán)利要求1的器件，其中所述一個(gè)或多個(gè)附加的有機(jī)光活性材料層包含小分子物質(zhì)。

7.權(quán)利要求6的器件，其中所述小分子物質(zhì)跨600nm-900nm波長(zhǎng)帶具有至少5×10⁴cm^-1的吸收系數(shù)。

8.權(quán)利要求7的器件，其中小分子物質(zhì)的HOMO比第一施主材料的HOMO高至多0.16eV。

9.權(quán)利要求7的器件，其中小分子物質(zhì)的帶隙小于第一施主材料的帶隙。

10.權(quán)利要求7的器件，其中所述小分子物質(zhì)具有小于1×10^-9cm²/Vs的空穴遷移率并且跨600nm-900nm的波長(zhǎng)帶具有至少5×10⁴cm^-1的吸收系數(shù)。

11.權(quán)利要求10的器件，其中所述小分子物質(zhì)包含選自酞菁錫(II)(SnPc)和酞菁鉛(PbPc)的物質(zhì)。

12.權(quán)利要求6的器件，其中所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光活性材料層中的至少一個(gè)包含小分子物質(zhì)和第一受主材料的共沉積層。

13.權(quán)利要求1的器件，其中所述第一電極由透明聚合物電極材料形成。

14.權(quán)利要求1的器件，其中所述第一電極是氧化銦錫。

15.權(quán)利要求14的器件，其中所述氧化銦錫在250-400℃的空氣中經(jīng)過(guò)退火。

16.權(quán)利要求14的器件，其中所述氧化銦錫已經(jīng)在300℃下于空氣中退火約10-30分鐘。

17.權(quán)利要求1的器件，其中所述受主材料是厚度為約100-140nm的C₆₀。

18.權(quán)利要求1的器件，其中所述聚合物包裹的碳納米管基本上是半導(dǎo)體性聚合物包裹的單壁碳納米管。

19.權(quán)利要求18的器件，其中所述聚合物包裹的單壁碳納米管包裹有光活性聚合物。

20.權(quán)利要求18的器件，其中所述聚合物包裹的單壁碳納米管在吸收約400nm-1400nm范圍的光時(shí)產(chǎn)生激子。

21.權(quán)利要求1的器件，該器件還包含在第二有機(jī)光活性材料層和第二電極之間提供的激子阻擋層。

22.權(quán)利要求1的器件，該器件還包含在第一有機(jī)光活性材料層和第一電極之間提供的激子阻擋層。

23.權(quán)利要求1的器件，該器件還包含在第一有機(jī)光活性材料層和第一電極之間提供的電子阻擋層。

24.權(quán)利要求23的器件，其中所述電子阻擋層由SiO₂、PFO或NiO之一形成。