[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980120672.3
• 申請日: 2009-05-25
• 公開（公告）號: CN102057488A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 及川欣聰;小路博信;江口晉吾
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G06K19/07;G06K19/077;H01L21/822;H01L25/00;H01L27/04
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

技術(shù)領(lǐng)域

技術(shù)領(lǐng)域涉及一種半導體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

在以通過天線的無線通信進行數(shù)據(jù)收發(fā)的半導體裝置(也稱為無線信號處理裝置、半導體集成電路芯片、IC芯片等)中，靜電放電造成的半導體裝置的損壞(靜電損壞)的問題是在諸如制造階段、檢查階段、作為產(chǎn)品的使用階段等所有階段中導致可靠性或生產(chǎn)率的降低的重大問題，已經(jīng)有關(guān)于該問題的解決方案的探討(例如，參照專利文獻1)。

在專利文獻1中，作為半導體裝置的襯底或粘合劑使用導電聚合物而防止靜電損壞。

[專利文獻1]日本專利申請公開2007-241999號公報

發(fā)明內(nèi)容

隨著如上述那樣的半導體裝置的市場增大，半導體裝置需要具有更多種類的形狀和更高的特性。由此，需要對靜電損壞具有更高耐受性并具備所要求的各種特性的半導體裝置。

此外，還被要求通過更簡單的方法制造具有充分的特性的半導體裝置。

于是，在本說明書等(至少包括說明書、權(quán)利要求書和附圖)中提出的發(fā)明的一個實施方式的目的在于通過提供一種半導體裝置的簡單的制造方法，該半導體裝置減少了起因于靜電放電的特性劣化。

在提出的發(fā)明的一個實施方式中，為了提高對抗靜電損壞的耐受性，而在半導體裝置的絕緣表面上形成導電層。此外，使用使絕緣體熔化的方法(例如，激光照射)將多個半導體裝置分成各個半導體裝置。

作為提出的發(fā)明的一個實施方式的半導體裝置的制造方法之一包括如下步驟：將分別包括半導體集成電路及天線的多個元件層由第一絕緣體和第二絕緣體密封，形成包括形成在第一絕緣體表面上的第一導電層、第一絕緣體、元件層、第二絕緣體、形成在第二絕緣體表面上的第二導電層的疊層結(jié)構(gòu)；以及使第一絕緣體及第二絕緣體熔化，由此所述疊層結(jié)構(gòu)被分割使得至少包括一個半導體集成電路及一個天線。

作為提出的發(fā)明的一個實施方式的半導體裝置的另一制造方法包括如下步驟：將分別包括半導體集成電路及天線的多個元件層由第一絕緣體和第二絕緣體密封，形成包括形成在第一絕緣體表面上的第一導電層、第一絕緣體、元件層、第二絕緣體、形成在第二絕緣體表面上的第二導電層的疊層結(jié)構(gòu)；以及對疊層體照射激光，由此所述疊層結(jié)構(gòu)被分割使得至少包括一個半導體集成電路及一個天線。

優(yōu)選通過上述分割處理，將第一導電層和第二導電層相電連接。此外，優(yōu)選通過上述分割處理，將第一導電層和第二導電層之間的電阻值降低為1GΩ以下。

在上述結(jié)構(gòu)中，第一導電層或第二導電層可以具有多層結(jié)構(gòu)。例如，可以采用具有兩層以上的導電層的結(jié)構(gòu)，也可以采用導電層和絕緣層的疊層結(jié)構(gòu)。此外，優(yōu)選第一絕緣體及第二絕緣體中的至少一個的厚度為5μm至50μm。

在上述結(jié)構(gòu)中，第一絕緣體或第二絕緣體優(yōu)選具有在纖維體中浸滲有機樹脂而成的結(jié)構(gòu)體。

在上述結(jié)構(gòu)中，可以設置與天線電磁耦合的增益天線。

在上述結(jié)構(gòu)中，可以在半導體集成電路及天線的表面上設置絕緣層等。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以進一步提高半導體裝置的可靠性。

所提出的發(fā)明的一個實施方式的半導體裝置包括：第一導電層；第一導電層上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第二絕緣體；第二絕緣體上的第二導電層；以及密封在第一絕緣體和第二絕緣體之間的元件層。第一絕緣體及第二絕緣體中的每一個具有通過熔融產(chǎn)生的切斷面，并且第一導電層和第二導電層通過切斷面相互電連接。

所提出的發(fā)明的一個實施方式的半導體裝置包括：第一導電層；第一導電層上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第二絕緣體；第二絕緣體上的第二導電層；以及密封在第一絕緣體和第二絕緣體之間的元件層。其中第一絕緣體及第二絕緣體中的每一個具有通過激光照射產(chǎn)生的切斷面，并且第一導電層和第二導電層通過切斷面相電連接。

注意，在本說明書等中，半導體裝置是指通過利用半導體特性而能夠工作的裝置。通過所提出的發(fā)明的一個實施方式，可以制造具有包括半導體元件(晶體管、存儲元件、二極管等)的電路的裝置。

通過在半導體裝置的表面上形成導電層，可以防止半導體集成電路的靜電損壞(電路的故障或半導體元件的損壞等)。此外，通過照射激光分成各個半導體裝置，可以以極為簡單的方法提供具有充分的靜電損壞耐受性的半導體裝置。

附圖說明

圖1A至圖1D為說明半導體裝置的制造方法的圖；

圖2A至圖2C為說明半導體裝置的制造方法的圖；

圖3A至圖3C為說明半導體裝置的制造方法的圖；

圖4A至圖4C為說明半導體裝置的制造方法的圖；

圖5A和圖5B為說明半導體裝置的制造方法的圖；