[發明專利]包括量子點的發光器件有效
| 申請號： | 200980120363.6 | 申請日： | 2009-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN102047098A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發明（設計）人： | 周照群;彼得·T·卡茲賴斯;米德·米西克;左蘭·波波維克;約翰·斯賓塞·莫里斯 | 申請（專利權）人： | QD視光有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/63 | 分類號： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;張英 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包括 量子 發光 器件 | ||
1.一種發光器件，包括：陰極、包含包括無機材料的能夠輸運和注入電子的材料的層、包含量子點的發射層、包含能夠輸運空穴的材料的層、空穴注入材料、以及陽極。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述空穴注入材料包括能夠輸運空穴的為p型摻雜的材料。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述陰極的功函數之間的差的絕對值小于約0.5eV。
4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述陰極的功函數之間的差的絕對值小于約0.3eV。
5.根據權利要求1所述的發光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述陰極的功函數之間的差的絕對值小于約0.2eV。
6.根據權利要求1所述的發光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述能夠輸運和注入電子的材料的E導帶邊緣之間的差的絕對值小于約0.5eV。
7.根據權利要求1所述的發光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述能夠輸運和注入電子的材料的E導帶邊緣之間的差的絕對值小于約0.3eV。
8.根據權利要求1所述的發光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述能夠輸運和注入電子的材料的E導帶邊緣之間的差的絕對值小于約0.2eV。
9.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述量子點包含半導體納米晶體。
10.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述無機材料包括金屬硫屬化物。
11.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述無機材料包括金屬氧化物。
12.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述無機材料包括氧化鋅。
13.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述無機材料包括二氧化鈦。
14.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述無機材料包括金屬硫化物。
15.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述無機材料包括兩種或更多種無機材料的混合物。
16.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述層以下面的相繼順序形成：所述陰極、所述包含包括無機材料的能夠輸運和注入電子的材料的層、所述包含量子點的發射層、所述包含能夠輸運空穴的材料的層、所述包含空穴注入材料的層、以及所述陽極。
17.根據權利要求16所述的發光器件，進一步包括在所述發射層與所述器件的鄰近于所述發射層的層之間的分隔層。
18.根據權利要求16所述的發光器件，進一步包括在所述包含能夠輸運空穴的材料的層與所述發射層之間的分隔層。
19.根據權利要求16所述的發光器件，進一步包括在所述發射層與所述包含能夠輸運和注入電子的材料的層之間的分隔層。
20.根據權利要求16所述的發光器件，其中，所述分隔層包括對于量子點發射為非猝滅的材料。
21.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述器件具有不大于1240/λ的初始導通電壓，其中，λ表示由所述發射層發射的光的波長(nm)。
22.根據權利要求1所述的發光器件，其中：所述包含量子點的發射層設置在所述陰極與所述陽極之間；所述包含能夠輸運和注入電子的材料的層設置在所述陰極與所述發射層之間；所述包含能夠輸運空穴的材料的層設置在所述陽極與所述發射層之間；以及所述包含空穴注入材料的層設置在所述陽極與發射材料之間。
23.根據權利要求22所述的發光器件，進一步包括在所述發射層與所述器件的鄰近于所述發射層的層之間的分隔層。
24.根據權利要求22所述的發光器件，進一步包括在所述包含能夠輸運空穴的材料的層與所述發射層之間的分隔層。
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