[發(fā)明專利]包括量子點的發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980120363.6 | 申請日： | 2009-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN102047098A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周照群;彼得·T·卡茲賴斯;米德·米西克;左蘭·波波維克;約翰·斯賓塞·莫里斯 | 申請（專利權(quán)）人： | QD視光有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/63 | 分類號： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;張英 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 量子 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：陰極、包含包括無機材料的能夠輸運和注入電子的材料的層、包含量子點的發(fā)射層、包含能夠輸運空穴的材料的層、空穴注入材料、以及陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述空穴注入材料包括能夠輸運空穴的為p型摻雜的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述陰極的功函數(shù)之間的差的絕對值小于約0.5eV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述陰極的功函數(shù)之間的差的絕對值小于約0.3eV。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述陰極的功函數(shù)之間的差的絕對值小于約0.2eV。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述能夠輸運和注入電子的材料的E導帶邊緣之間的差的絕對值小于約0.5eV。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述能夠輸運和注入電子的材料的E導帶邊緣之間的差的絕對值小于約0.3eV。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述量子點的ELUMO與所述能夠輸運和注入電子的材料的E導帶邊緣之間的差的絕對值小于約0.2eV。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述量子點包含半導體納米晶體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述無機材料包括金屬硫?qū)倩铩?/p>
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述無機材料包括金屬氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述無機材料包括氧化鋅。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述無機材料包括二氧化鈦。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述無機材料包括金屬硫化物。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述無機材料包括兩種或更多種無機材料的混合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述層以下面的相繼順序形成：所述陰極、所述包含包括無機材料的能夠輸運和注入電子的材料的層、所述包含量子點的發(fā)射層、所述包含能夠輸運空穴的材料的層、所述包含空穴注入材料的層、以及所述陽極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述發(fā)射層與所述器件的鄰近于所述發(fā)射層的層之間的分隔層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述包含能夠輸運空穴的材料的層與所述發(fā)射層之間的分隔層。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述發(fā)射層與所述包含能夠輸運和注入電子的材料的層之間的分隔層。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中，所述分隔層包括對于量子點發(fā)射為非猝滅的材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述器件具有不大于1240/λ的初始導通電壓，其中，λ表示由所述發(fā)射層發(fā)射的光的波長(nm)。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中：所述包含量子點的發(fā)射層設置在所述陰極與所述陽極之間；所述包含能夠輸運和注入電子的材料的層設置在所述陰極與所述發(fā)射層之間；所述包含能夠輸運空穴的材料的層設置在所述陽極與所述發(fā)射層之間；以及所述包含空穴注入材料的層設置在所述陽極與發(fā)射材料之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述發(fā)射層與所述器件的鄰近于所述發(fā)射層的層之間的分隔層。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述包含能夠輸運空穴的材料的層與所述發(fā)射層之間的分隔層。
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