[發明專利]具有氮化鎵基薄層半導體器件的LED元件

有效

• 申請號: 200980120021.4
• 申請日: 2009-04-24
• 公開（公告）號: CN102047451A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 斯特凡·塔施
• 申請（專利權）人: 萊登照明詹納斯多夫股份公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;王伶

1.一種LED模塊，其具有硅平板(3)和包括上下緊鄰的外延的多層氮化鎵層(2)的LED芯片(1)，該LED芯片(1)安置在該硅平板(3)上，其中所述多層氮化鎵層具有至少一個n型摻雜層、一個有源層和一個p型摻雜層，所述硅平板(3)在背對所述LED芯片(1)的一側(3b)具有兩個電極(4a，4b)，所述兩個電極(4a，4b)與所述LED芯片(1)電連接，并且所述LED芯片(1)的所述外延的多層氮化鎵層(2)的總厚度介于1至10μm之間，優選為2至5μm，其中所述硅平板(3)具有孔穴(8)，所述LED芯片(1)安置在所述孔穴(8)中。

2.根據權利要求1所述的LED模塊，其中，所述硅平板(3)具有通孔金屬化結構(6a，6b)，該通孔金屬化結構(6a，6b)使所述硅平板(3)的電極(4a，4b)與所述LED芯片(1)電連接。

3.根據權利要求1或2所述的LED模塊，其中，所述外延的氮化鎵層沒有中間層地直接設置在所述硅平板(3)的頂面(3a)上。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的LED模塊，其中，所述LED芯片(1)借助焊球或扁平觸點(7a，7b)與所術硅平板(3)的通孔金屬化結構(4a，4b)電連接。

5.根據在前權利要求任一項所述的LED模塊，其中，所述硅平板(3)的孔穴(8)中填充有顏色轉換層(9)和/或含有散射顆粒的層。

6.根據在前權利要求任一項所述的LED模塊，其中，所述硅平板(3)的在所述LED芯片(1)下面的厚度(t2)小于300μm。

7.根據權利要求1或2所述的LED模塊，其中，在所述氮化鎵層(2)和所述硅平板(3)之間有附加的硅襯底層(10)。

8.根據權利要求7所述的LED模塊，其中，所述氮化鎵層(2)和所述硅襯底層(10)就寬度(b₁)和長度(l₁)而言有相同的尺寸。

9.根據在前權利要求任一項所述的LED模塊，其中，所述硅平板的長度(l₁)和寬度(b₁)介于2.5至6.5mm之間。

10.根據在前權利要求任一項所述的LED模塊，其中，所述LED芯片(1)以面朝上或面朝下的姿勢安置在所述硅平板(3)上。