[發明專利]太陽能電池單元的制造方法以及太陽能電池單元無效
| 申請號: | 200980119948.6 | 申請日: | 2009-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN102047440A | 公開(公告)日: | 2011-05-04 |
| 發明(設計)人: | 渡井美和;齊藤一也;小松孝;崎尾進;若井雅文;黑巖俊二 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 齊葵;王誠華 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 單元 制造 方法 以及 | ||
1.一種太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,包括:
刻劃工序,在基板上通過依次層積第一電極層、光電轉換層和第二電極層而形成光電轉換體之后,形成將光電轉換體電分離為多個劃分部的槽,
在所述刻劃工序中,形成:
第一槽,至少分離所述第一電極層和所述光電轉換層;
第二槽,與所述第一槽平行,至少分離所述光電轉換層;以及
第三槽,與所述第一槽平行,配置在所述第二槽的與緊鄰所述第二槽的所述第一槽相反的一側,保留所述第一電極層而分離所述光電轉換層和所述第二電極層。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,所述第一槽分離所述第一電極層、所述光電轉換層和所述第二電極層,所述第二槽分離所述第二電極層和所述光電轉換層。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,在所述刻劃工序之后包括:
絕緣層形成工序,在所述第一槽的內部形成絕緣層;以及
配線層形成工序,形成電連接所述多個劃分部的配線層,
在所述配線層形成工序中,所述配線層至少形成在所述第二槽的內部和所述絕緣層的表面,且電連接露出于緊鄰所述第一槽的所述第二槽的底面的所述第一電極層與作為緊鄰所述第一槽的發電有效區域的所述第二電極層。
4.根據權利要求1至權利要求3中的任一項所述的太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,在所述刻劃工序中,掃描形成所述第一槽的第一激光、形成所述第二槽的第二激光和形成所述第三槽的第三激光以形成各槽。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,固定所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光的相對位置,掃描各激光以形成各槽。
6.根據權利要求4所述的太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,同時形成所述第一槽、所述第二槽和所述第三槽。
7.一種太陽能電池單元,其特征在于,包括:
光電轉換體,形成在基板上并且依次層積有第一電極層、光電轉換層和第二電極層;以及
槽,將所述光電轉換體電分離為多個劃分部,
所述槽具有:
第一槽,至少分離所述第一電極層和所述光電轉換層;
第二槽,與所述第一槽平行,至少分離所述光電轉換層,在內部形成有電連接所述多個劃分部的配線層;以及
第三槽,與所述第一槽平行,配置在所述第二槽的與緊鄰所述第二槽的所述第一槽相反的一側,保留所述第一電極層而分離所述光電轉換層和所述第二電極層,
在所述第一槽的內部形成有至少絕緣所述第一電極層和所述光電轉換層間的絕緣層,
所述配線層至少形成在所述第二槽的內部和所述絕緣層的表面,且電連接露出于緊鄰所述第一槽的所述第二槽的底面的所述第一電極層與作為緊鄰所述第一槽的發電有效區域的所述第二電極層。
8.一種太陽能電池單元的制造方法,其特征在于,包括:
刻劃工序,在基板上通過依次層積第一電極層、光電轉換層和第二電極層而形成光電轉換體后,形成將光電轉換體電分離為多個劃分部的槽,
在所述刻劃工序中,形成:
第一槽,分離所述第一電極層、所述光電轉換層和所述第二電極層;
第二槽,與所述第一槽平行,分離所述光電轉換層和所述第二電極層;
第三槽,與所述第一槽平行,配置在所述第二槽的與緊鄰所述第二槽的所述第一槽相反的一側,分離所述光電轉換層和所述第二電極層;以及
第四槽,與所述第一槽平行,配置在緊鄰所述第二槽的所述第一槽的與所述第二槽的相反側,在所述第一槽與作為發電有效區域的劃分部之間至少分離所述光電轉換層和所述第二電極層,
在所述刻劃工序之后具有:絕緣層形成工序,在所述第一槽和所述第四槽的內部形成絕緣層;以及配線層形成工序,形成電連接所述多個劃分部的配線層,
在所述配線層形成工序中,所述配線層從露出于所述第二槽的底面的所述第一電極層,經過所述第二槽的內部和所述絕緣層的表面,到達配置在所述第四槽的與所述第二槽相反的一側的所述第二電極層的表面,電連接所述多個劃分部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





