[發明專利]場效應晶體管和其制造方法

有效

• 申請號: 200980119793.6
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號: CN102047430A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 菊地洋明;高橋理;近藤勝則;山林智明;小笠原邦男;石垣忠;稗貫豊;中村基訓;須芭行稱守
• 申請（專利權）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種場效應晶體管，其特征在于具有：

柵極絕緣膜；

包含配置在所述柵極絕緣膜上的碳納米管的通道；

包覆所述碳納米管的絕緣保護膜；

分別配置在所述絕緣保護膜上，且經由所述絕緣保護膜中形成的接觸孔而與所述碳納米管電連接的源電極及漏電極；

形成在所述柵極絕緣膜上的柵電極；

包覆所述絕緣保護膜的等離子體化學氣相沉積膜；以及

形成在所述絕緣保護膜與所述等離子體化學氣相沉積膜之間的導電性膜。

2.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：在所述絕緣保護膜與所述導電性膜之間，還具有保護所述源電極及所述漏電極的配線保護膜。

3.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：

所述柵極絕緣膜形成在半導體基板的兩面上，

所述源電極及所述漏電極形成在所述半導體基板的第1面上所形成的柵極絕緣膜側，

所述柵電極形成在所述半導體基板的相對于所述第1面為背面側的第2面上所形成的柵極絕緣膜側。

4.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：

所述柵極絕緣膜形成在半導體基板面上，

所述柵電極形成在形成有所述源電極及所述漏電極的柵極絕緣膜的面的同一面側。

5.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述導電性膜形成在覆蓋所述碳納米管的區域中。

6.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述導電性膜的端部由所述等離子體化學氣相沉積膜包覆。

7.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述導電性膜的厚度為10nm以上、且1000nm以下。

8.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于：所述柵極絕緣膜的厚度為50nm以上、且1000nm以下。

9.一種場效應晶體管的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上配置碳納米管；

形成包覆所述碳納米管的絕緣保護膜；

在所述絕緣保護膜上，形成經由所述絕緣保護膜中形成的接觸孔而與所述碳納米管電連接的源電極及漏電極；

形成保護所述源電極及所述漏電極的配線保護膜；

在所述配線保護膜上形成導電性膜；以及

在所述導電性膜上形成等離子體化學氣相沉積膜。