[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980119352.6 | 申請日： | 2009-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN102047308A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | C·布朗;加藤浩巳 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | G09F9/30 | 分類號： | G09F9/30;G02F1/133;G06F3/041;G06F3/042;G09F9/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有光電二極管或光電晶體管等光檢測元件的帶光傳感器的顯示裝置，特別涉及在像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有光傳感器的顯示裝置。
背景技術(shù)
歷來，提案有例如通過在像素內(nèi)設(shè)置光電二極管等光檢測元件，能夠檢測外光的明亮度、或取入接近顯示器的物體的圖像的帶光傳感器的顯示裝置。這樣的帶光傳感器的顯示裝置被設(shè)想為作為雙方向通信用顯示裝置、帶觸摸面板功能的顯示裝置使用。
在現(xiàn)有的帶光傳感器的顯示裝置中，在利用半導(dǎo)體工藝在有源矩陣基板形成信號線和掃描線、TFT(Thin?Film?Transistor：薄膜晶體管)、像素電極等公知的構(gòu)成要素時，同時在有源矩陣基板上制作光電二極管等(參照日本特開2006-3857號公報(bào)，“A?Touch?Panel?Function?Integrated?LCD?Including?LTPS?A/D?Converter”，T.Nakamura等，SID?05DIGEST，pp1054-1055，2005)。
圖9表示形成在有源矩陣基板上的現(xiàn)有的光傳感器(參照國際公開第2007/145346號小冊子，國際公開第2007/145347號小冊子)的一個例子。圖9所示的現(xiàn)有的光傳感器包括光電二極管D1、電容器C2和晶體管M2。在光電二極管D1的陽極(anode)連接有用于供給復(fù)位信號的配線RST。在光電二極管D1的陰極(athode)連接有電容器C2的一個電極和晶體管M2的柵極。晶體管M2的漏極與配線VDD連接，源極與配線OUT連接。電容器C2的另一個電極與用于供給讀出信號的配線RWS連接。
在該結(jié)構(gòu)中，通過分別在規(guī)定的定時向配線RST供給復(fù)位信號、向配線RWS供給讀出信號，能夠獲得與在光電二極管D1接收的光的光量相應(yīng)的傳感器輸出VPIX。在此，參照圖10說明圖9所示的現(xiàn)有的光傳感器的動作。另外，將復(fù)位信號的低電平(例如-4V)表示為VRST.L，將復(fù)位信號的高電平(例如0V)表示為VRST.H，將讀出信號的低電平(例如0V)表示為VRWS.L，將讀出信號的高電平(例如8V)表示為VRWS.H。
首先，當(dāng)向配線RST供給高電平的復(fù)位信號VRST.H時，光電二極管D1成為正向偏壓，晶體管M2的柵極電位VINT能夠由下述的式(1)表示。
VINT＝VRST.H-VF????……(1)
在式(1)中，VF是光電二極管D1的正向電壓，ΔVRST是復(fù)位信號的脈沖的高度(VRST.H-VRST.L)，CPD是光電二極管D1的電容。CT是電容器C2的電容、光電二極管D1的電容CPD和晶體管M2的電容CTFT的總和。此時的VINT比晶體管M2的閾值電壓低，因此晶體管M2在復(fù)位期間處于非導(dǎo)通狀態(tài)。
接著，復(fù)位信號返回低電平VRST.L(圖10中t＝RST的時刻)，由此，光電流的積分期間(圖10所示的VINT的期間)開始。在積分期間，與射向光電二極管D1的光入射量成比例的光電流流入電容器C2，使電容器C2放電。由此，積分期間結(jié)束時的晶體管M2的柵極電位VINT能夠由下述的式(2)表示。
VINT＝VRST.H-VF-ΔVRST·CPD/CT-IPHOTO·TINT/CT????……(2)
在式(2)中，IPHOTO是光電二極管D1的光電流，TINT是積分期間的長度。在積分期間，VINT也比晶體管M2的閾值電壓低，因此晶體管M2成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
當(dāng)積分期間結(jié)束時，讀出信號RWS在圖10所示的t＝RWS的時刻上升，由此，讀出期間開始。另外，讀出期間在讀出信號RWS為高電平的期間繼續(xù)。在此，對電容器C2注入電荷。其結(jié)果是，晶體管M2的柵極電位VINT能夠由下述的式(3)表示。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于夏普株式會社，未經(jīng)夏普株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980119352.6/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
