[發明專利]發光器件及其制造方法有效
| 申請號: | 200980119150.1 | 申請日: | 2009-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN102106001A | 公開(公告)日: | 2011-06-22 |
| 發明(設計)人: | 宋俊午 | 申請(專利權)人: | 宋俊午 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及發光器件及其制造方法。
背景技術
近來,作為發光器件的發光二極管(LED)得以被關注。由于LED能夠高效率地將電能轉換為光能并且具有大約5年或更長的壽命,所以LED能夠顯著地減少能量消耗以及維修和維護成本。因此,在下一代發光領域中關注LED。
該種LED包括第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層,其中,有源層根據通過第一和第二導電半導體層而施加到其上的電流來產生光。
LED可以被分類為橫向型LED和垂直型LED。
根據橫向型LED,第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層被形成在生長襯底上,并且第二導電半導體層、有源層、以及第一導電半導體層被部分地移除,使得第一導電半導體層的一部分能夠被暴露以形成電極層。因此,發光面積可能被減少使得發光效率可能被降低。
另外,根據橫向型LED,由于第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層被形成在具有低導熱性的生長襯底上,所以對熱的散熱不容易。
相反地,根據垂直型LED,第一電極層被形成在第一導電半導體層上并且第二電極層被形成在第二導電半導體層下面,使得沒有必要移除有源層以形成電極層。因此,可以不減少發光面積,使得與橫向型LED的相比較可以提高光效率。
另外,根據垂直型LED,通過第二電極層來傳輸熱,因此對熱的熱散是容易的。
同時,當用作支撐襯底的第二電極被形成在第二導電半導體層下面時,垂直型LED可以采用電鍍方案和晶圓結合方案。
如果通過電鍍方案制造支撐襯底,那么將有助于制造工藝,但是可能降低LED的可靠性。另外,如果通過晶圓結合方案制造支撐襯底,那么制造工藝可能是復雜的,但是可以提高LED的可靠性。
特別地,如果通過晶圓結合方案制造支撐襯底,由于生長襯底和支撐襯底是由非均質材料(heterogeneous?material)組成,所以由于熱膨脹系數中的差引起的熱應力,在已經結合晶圓之后可能會出現裂縫和脫粘(debonding)。
發明內容
技術問題
實施例提供具有新穎的結構的發光器件及其制造方法。
實施例提供通過新穎的晶圓結合方案來制造發光器件的方法。
技術解決方案
根據實施例的發光器件包括:支撐襯底;支撐襯底上的反射層;發射層上方的歐姆接觸層;歐姆接觸層上方的發光半導體層,其包括第二導電半導體層、有源層、以及第一導電半導體層;包圍發光半導體層的橫向側面的第一鈍化層;以及包圍第一鈍化層和反射層的橫向側面的第二鈍化層。
一種制造根據實施例的發光器件的方法,可以包括下述步驟:制備第一結構,所述第一結構包括在生長襯底上方的發光半導體層、在發光半導體層上方的歐姆接觸層、在歐姆接觸層上方的反射層、以及包圍發光半導體層的鈍化層;通過使用支撐襯底來制備第二結構;通過使用臨時襯底來制備第三結構;通過晶圓結合層,結合第一結構到第三結構來形成復合結構,其中,在第一和第三結構之間插入第二結構;使生長襯底與復合結構分離;在發光半導體層上形成第一電極層;以及移除臨時襯底。
一種制造根據實施例的發光器件的方法,可以包括下述步驟:制備包括生長襯底上方的發光半導體層的第一結構;通過使用第一支撐襯底來制備第二結構;通過使用第一臨時襯底來制備第三結構;當在第一和第三結構之間插入第二結構時,通過晶圓結合層,結合第一結構到第三結構來形成第一復合結構;通過使第一臨時襯底與第一復合結構分離形成第二復合結構;通過使用第二支撐襯底來制備第四結構;通過使用第二臨時襯底來制備第五結構;當在第二復合結構和第五結構之間插入第四結構時,通過晶圓結合層,對第二復合結構、第四結構、以及第五結構進行結合而形成第三復合結構復合結構;以及從第三復合結構移除第二臨時襯底。
有益效果
實施例提供具有新穎的結構的發光器件及其制造方法。
實施例提供通過新穎的晶圓結合方案來制造發光器件的方法。
附圖說明
圖1至圖10是示出用于制造根據第一實施例的發光器件的程序的視圖;
圖11至圖19是示出用于制造根據第二實施例的發光器件的程序的視圖;
圖20至圖33是示出用于制造根據第三實施例的發光器件的程序的視圖;以及
圖34至圖46是示出用于制造根據第四實施例的發光器件的程序的視圖;
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于宋俊午,未經宋俊午許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980119150.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:支持電感式感測的集成電路裝置
- 下一篇:一種用于在建筑物上顯示視頻圖像的裝置





