[發明專利]LED裝置中的低折射率間隔層有效
| 申請號: | 200980118291.1 | 申請日: | 2009-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102037577A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | A·查克拉博爾蒂 | 申請(專利權)人: | 克里公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 趙華偉 |
| 地址: | 美國北卡*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 裝置 中的 折射率 間隔 | ||
1.一種發光二極管(LED)裝置,包括:
LED芯片,該LED芯片設在安裝面上,上述LED芯片具有有紋理的發光表面和第一折射率;
間隔層,該間隔層設在上述LED芯片上并覆蓋上述發光表面,上述間隔層具有第二折射率,該第二折射率小于上述第一折射率;和
至少一個功能層,該功能層設在上述間隔層上。
2.如權利要求1所述的LED裝置,上述至少一個功能層包括波長轉換層。
3.如權利要求2所述的LED裝置,上述波長轉換層包括:
粘合劑材料,該粘合劑材料具有第三折射率,所述第三折射率大于上述第二折射率;和
許多磷光體粒子,該許多磷光體粒子分布在整個上述粘合劑材料中。
4.如權利要求3所述的LED裝置,其中上述第二折射率近似地為1.5,而上述第三折射率近似地為1.8。
5.如權利要求2所述的LED裝置,上述波長轉換層包括單晶磷光體材料。
6.如權利要求2所述的LED裝置,上述波長轉換層包括納晶磷光體,所述納晶磷光體分散在整個粘合劑材料中。
7.如權利要求2所述的LED裝置,上述至少一個功能層還包括濾光層,所述濾光層可透射第一波長范圍的光和反射第二波長范圍的光,其中上述濾光層置于上述間隔層和波長轉換層之間。
8.如權利要求2所述的LED裝置,其中上述LED芯片配置成發射藍光,而上述波長轉換層配置成將一部分上述藍光變換成黃光,以使上述LED裝置發射組合以顯示白光的上述藍光和黃光。
9.如權利要求2所述的LED裝置,其中上述至少一個功能層包括光散射元件。
10.如權利要求9所述的LED裝置,其中上述光散射元件包括光散射粒子。
11.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述間隔層包括一基本上是平的表面,該平的表面與上述LED芯片相對。
12.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述功能層包括抗反射涂層。
13.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述間隔層具有厚度近似為1-25微米。
14.如權利要求1所述的LED裝置,還包括半球形的封裝劑,該封裝劑設在上述安裝面上并覆蓋上述LED芯片。
15.如權利要求14所述的LED,上述封裝劑具有折射率近似地為1.5。
16.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述安裝面是反射性的。
17.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述LED芯片包括鋁鎵銦氮化物(AlGaInN)半導體層。
18.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述間隔層將上述功能層與上述LED芯片絕熱。
19.如權利要求1所述的LED裝置,其中上述間隔層使上述LED芯片鈍化。
20.如權利要求1所述的LED裝置,上述LED芯片包括反射元件,該反射元件與上述有紋理的發光表面相對。
21.發光二極管(LED)裝置,包括:
LED芯片,該LED芯片設在安裝面上并具有有紋理的發光表面和第一折射率,上述LED發射藍光;
間隔層,該間隔層設在上述LED芯片上并覆蓋上述發光表面,上述間隔層具有與上述LED芯片相對的平的表面和小于上述第一折射率的第二折射率而第二折射率;
波長轉換層,該波長轉換層設在上述間隔層上,上述波長轉換層將一部分上述藍光轉換并發射黃光;和
封裝劑,該封裝劑設在上述安裝面上并覆蓋上述LED芯片;
其中上述發光二極管(LED)裝置構造成發射上述藍光和黃光的組合,使上述組合顯示白光。
22.如權利要求21所述的LED裝置,還包括濾光層,該濾光層可透射第一波長范圍的光和反射第二波長范圍的光,其中上述濾光層置于上述間隔層和上述波長轉換層之間。
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