[發明專利]半導體發光元件及其制造方法、燈

有效

• 申請號: 200980118007.0
• 申請日: 2009-05-20
• 公開（公告）號: CN102037576A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 篠原裕直;福永修大
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/28;H01L29/47;H01L29/872
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

1.一種半導體發光元件，是具備基板、在所述基板上依次形成n型半導體層、發光層和p型半導體層而構成的疊層半導體層和在所述p型半導體層的上面形成的透光性電極層的半導體發光元件，

所述透光性電極層是含有Zn作為摻雜元素的層，

所述透光性電極層中的所述Zn含有量，隨著接近所述p型半導體層與所述透光性電極層的界面而逐漸地減少，

在所述透光性電極層中形成有構成所述p型半導體層的元素從所述界面向所述透光性電極層內擴散而成的擴散區域。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述擴散區域的距離所述界面5nm的位置的構成所述p型半導體層的元素的濃度為2原子％以上。

3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述擴散區域的厚度，從所述界面起為3nm以上。

4.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述擴散區域的厚度，從所述界面起為5nm以上。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述擴散區域中的所述摻雜元素的含有量比所述透光性電極層整體的平均濃度低。

6.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述p型半導體層含有GaN。

7.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述透光性電極層含有選自In、Sn、Zn、Al、Ga、Ti、Ce中的至少一種金屬的氧化物。

8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述透光性電極層由IZO形成。

9.一種半導體發光元件的制造方法，包括：

在基板上依次層疊n型半導體層、發光層和p型半導體層，從而形成疊層半導體層的工序；和

在所述p型半導體層的上面形成含有Zn的透光性電極層的工序，

形成所述透光性電極層的工序包括：采用濺射法形成透光性電極膜的成膜工序、和在所述成膜工序后在300℃～800℃下進行加熱處理的熱處理工序，

制造權利要求1所述的半導體發光元件。

10.一種半導體發光元件的制造方法，包括：

在基板上依次層疊n型半導體、發光層和p型半導體層，從而形成疊層半導體層的工序；和

在所述p型半導體層的上面形成含有Zn的透光性電極層的工序，

形成所述透光性電極層的工序包括：采用濺射法形成透光性電極膜的成膜工序、和在所述成膜工序后在300℃～800℃下進行加熱處理的熱處理工序，

采用濺射法形成透光性電極膜的成膜工序包括下述工序：通過RF濺射以及DC濺射形成所述透光性電極層，所述RF濺射和所述DC濺射的至少1種具有2個靶。

11.根據權利要求10所述的半導體發光元件的制造方法，制造權利要求1所述的半導體發光元件。

12.一種燈，具有權利要求1所述的半導體發光元件。

13.一種電子設備，裝有權利要求12所述的燈。

14.一種機械裝置，裝有權利要求13所述的電子設備。