[發明專利]從廢棄的晶片鋸切漿回收硅和碳化硅的方法和設備無效
| 申請號: | 200980117876.1 | 申請日: | 2009-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN102067277A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | J·A·法拉沃利塔 | 申請(專利權)人: | 伊奧西爾能源公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/301;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳文平;徐志明 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 廢棄 晶片 鋸切漿 回收 碳化硅 方法 設備 | ||
1.一種用于回收硅的方法,其包括:
a)使用至少一種物理分離裝置從切削漿分離含鐵的微粒,從而產生漿產物;
b)從所述漿產物除去液體,從而產生碳化硅和硅的粉末混合物;
c)向包含四碘化硅的第一容器提供所述粉末混合物,從而產生含二碘化硅的蒸氣;和
d)向第二容器提供所述含二碘化硅的蒸氣,其中由二碘化硅形成所述沉積的硅。
2.根據權利要求1的方法,進一步包括從所述第二容器純化和回收殘留的四碘化硅。
3.根據權利要求1的方法,進一步包括e)回收步驟a)的所述含鐵微粒。
4.根據權利要求1的方法,進一步包括f)向步驟d)中的所述第一容器添加載氣,以調整蒸氣-氣體混合物的流速。
5.根據權利要求1的方法,進一步包括從所述第一容器回收碳化硅微粒。
6.根據權利要求1的方法,進一步包括從所述漿產物回收乙二醇、油或水中的至少一種。
7.一種用于回收硅的設備,包括:
a)物理分離裝置,其中,所述物理分離裝置從切割漿分離含鐵微粒,以產生富含硅和碳化硅的流;
b)旋風分離器,用于從富含硅和碳化硅的流產生富含硅的流;和
c)容器,用于從富含硅的流產生沉積的硅,其中所述容器包括以純硅微粒作為晶種的流化床。
8.根據權利要求7的裝置,其中,所述旋風分離器從在蒸氣-氣體相中的硅和碳化硅的混合物分離碳化硅,所述蒸氣-氣體相允許硅和四碘化硅之間進行反應。
9.根據權利要求7的裝置,進一步包括水力旋流器,其中,所述水力旋流器被配置為從固-液漿中分離10至20微米的碳化硅微粒。
10.根據權利要求7的裝置,進一步包括高溫過濾器,其中,所述高溫過濾器被配置為阻止1至10微米的碳化硅微粒被二碘化硅氣體蒸氣夾帶進入所述容器。
11.一種用于回收硅的系統,包括:
a)物理分離裝置,其中,所述裝置產生用于從含硅產物分離含鐵微粒的磁場;
b)分離器,其中所述分離裝置是用于從所述含硅產物分離直徑大于大約10微米的碳化硅微粒的水力旋流器或空氣旋流器;
c)干燥裝置,用于干燥所述含硅產物;
d)被配置為接收所述含硅產物的第一容器,其中,所述第一容器維持在至少1000℃的溫度下;和
e)被配置為接收所述含硅產物的第二容器,其中,所述第二容器包括用純硅微粒作為晶種的流化床。
12.一種用于回收硅的方法,包括:
a)向第一容器提供含硅物質和碘,從而產生包含四碘化硅的富含四碘化硅組合物;
b)對富含四碘化硅的組合物進行蒸餾過程,以形成富含更高純度四碘化硅的組合物;和
c)向第二容器提供富含更高純度四碘化硅的組合物,其中,沉積的硅由四碘化硅形成。
13.根據權利要求12的方法,其中,富含四碘化硅的組合物包含碘化硅,且超過大約70%的碘化硅為四碘化硅的形式。
14.根據權利要求12的方法,其中,所述含硅物質通過一個或多個以下步驟制備:固-液分離步驟、磁力分離步驟、過濾步驟、浸提步驟和干燥步驟。
15.根據權利要求12的方法,其中,所述含硅物質包含冶金級的硅。
16.根據權利要求12的方法,其中,所述富含更高純度四碘化硅的組合物具有至少99.99999-99.99999999%(7-10N)的純度。
17.根據權利要求12的方法,其中,所述沉積的硅具有至少99.999999%的純度。
18.根據權利要求12的方法,其中,第一容器在大約600℃至900℃的溫度下操作,第二容器在大約900至1300℃的溫度下操作,而蒸餾過程在低于大約101.3千帕的壓力下操作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





