[發明專利]傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200980117704.4
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN102027357A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 山林智明;高橋理;近藤勝則;菊地洋明
• 申請（專利權）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種傳感器，其特征在于，包括：

硅基板，具有氧化硅膜；

源電極、漏電極及柵電極，配置在所述氧化硅膜上；

通道，由多晶硅或者非晶硅構成，配置在所述氧化硅膜上，且與所述源電極及漏電極電連接；以及

反應場，配置在所述氧化硅膜上。

2.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述通道為NPN型。

3.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述通道為PNP型。

4.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述通道為NiN型。

5.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述通道為PiP型。

6.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述硅基板在兩面上具有所述氧化硅膜；

所述柵電極配置在與配置有所述源電極、漏電極及通道的氧化硅膜相反面的氧化硅膜上。

7.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述硅基板在兩面或者單面上具有氧化硅膜；

所述柵電極配置在與配置有所述源電極、漏電極及通道的氧化硅膜為同一面的氧化硅膜上。

8.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，

所述硅基板在兩面上具有所述氧化硅膜；

所述柵電極與所述反應場配置在所述氧化硅膜的兩面中的同一面的氧化硅膜上。

9.一種傳感器制造方法，所述傳感器包含場效應晶體管，所述場效應晶體管具有半導體基板、形成在所述半導體基板的表面的氧化硅膜、及連接到所述氧化硅膜的電極，而且所述氧化硅膜的一部分用作被檢測物的反應場，其特征在于，所述傳感器制造方法包括下述步驟：

在硅基板上形成氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上形成多晶硅膜或者非晶硅膜；

在所述多晶硅膜或者非晶硅膜中摻雜雜質；

在摻雜了所述雜質的所述多晶硅膜或者非晶硅膜上形成源電極及漏電極；

在所述氧化硅膜上形成柵電極；以及

在所述氧化硅膜上形成反應場。

10.根據權利要求9所述的傳感器制造方法，其特征在于，包括下述步驟：

使用硅的局部氧化法來形成包圍所述反應場且其厚度比所述反應場厚的障壁部；以及

形成柵極氧化膜即所述反應場。

11.根據權利要求10所述的傳感器制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：

在所述氧化硅膜上的、與所述反應場及所述障壁部的位置不同的位置，形成漏電極及源電極。

12.根據權利要求10所述的傳感器制造方法，其特征在于，

在形成所述漏電極及源電極的步驟中，

在形成有所述反應場及所述障壁部的半導體基板面的背面側，形成所述漏電極及源電極。

13.根據權利要求10所述的傳感器制造方法，其特征在于，

在形成所述漏電極及源電極的步驟中，

在形成有所述反應場及所述障壁部的半導體基板面的同一面側，形成所述漏電極及源電極。

14.根據權利要求10所述的傳感器制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：

將被檢測物質識別分子固定在所述反應場內。

15.根據權利要求9所述的傳感器制造方法，其特征在于，包括下述步驟：

使用光刻法形成包圍所述反應場且其厚度比所述反應場厚的障壁部；以及

形成柵極氧化膜即所述反應場。

16.一種傳感器制造方法，所述傳感器包含場效應晶體管，所述場效應晶體管具有半導體基板、形成在所述半導體基板的表面的氧化硅膜、及連接到所述氧化硅膜的電極，而且所述氧化硅膜的一部分用作被檢測物的反應場，其特征在于，所述傳感器制造方法包括下述步驟：

利用硅的局部氧化法來形成包圍所述反應場且其厚度比所述反應場厚的障壁部；以及

形成柵極氧化膜即所述反應場。