[發明專利]碳線、由碳膜形成的納米結構以及它們的制備方法

在審

• 申請號: 200980117669.6
• 申請日: 2009-05-08
• 公開（公告）號: CN102026918A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 日方威;藤田淳一
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業平;張天舒

1.一種碳線1，包括：

由多根相互接觸的碳纖維形成的組件部分3；以及

設置在所述組件部分3的外周上的石墨層4。

2.權利要求1所述的碳線1，其中所述碳纖維為碳納米管2。

3.權利要求1所述的碳線1，其中所述石墨層4為碳納米管2。

4.一種線組件5，包含多根權利要求1所述的碳線1。

5.一種制備碳線1的方法，包括以下步驟：

制備由多根相互接觸的碳纖維形成的組件部分3；以及

將所述組件部分3的表面暴露在液態鎵9中，以在所述組件部分3的表面上設置石墨層4。

6.權利要求5所述的制備碳線1的方法，其中在所述暴露步驟中，向所述組件部分3施加壓應力。

7.權利要求6所述的制備碳線1的方法，其中在所述暴露步驟中，將所述液態鎵壓縮以向所述組件部分5施加壓應力。

8.權利要求7所述的制備碳線1的方法，其中在所述暴露步驟中，將所述液態鎵暴露于壓力經過調節的環境氣體中，以壓縮所述液態鎵。

9.權利要求5所述的制備碳線1的方法，其中在所述暴露步驟中，所述液態鎵的溫度為450℃至750℃。

10.權利要求5所述的制備碳線1的方法，在所述暴露步驟之前，包括設置無定形碳層11作為所述組件部分3的表面層的步驟。

11.權利要求5所述的制備碳線1的方法，在所述暴露步驟之后，還包括將粘附于所述碳線1表面上的鎵除去的步驟。

12.一種制備線組件5的方法，包括以下步驟：

按照權利要求5-11中任意一項所述的制備碳線1的方法來制備多根碳線1；以及

將所述多根碳線1絞在一起以形成線組件5。

13.一種導電膜，具有由通過石墨膜連接在一起的多個碳納米管2形成的碳納米管網絡18。

14.一種制備權利要求13所述的導電膜的方法，包括將碳納米管網絡18暴露在Ga(鎵)蒸氣中以設置所述石墨膜的步驟。

15.一種制備權利要求13所述的導電膜的方法，包括以下步驟：

在碳納米管網絡18上設置無定形碳膜21；以及

將所述碳納米管網絡18和在所述設置無定形碳膜21的步驟中獲得的所述無定形碳膜21暴露在Ga蒸氣中，以設置所述石墨膜。

16.權利要求14所述的制備導電膜的方法，在所述暴露步驟之前，包括對形成所述碳納米管網絡18的多個碳納米管2中的相互接觸部分進行機械壓焊的步驟。

17.一種導電基底，由基底和設置在該基底上的導電膜形成，所述導電膜具有由通過石墨膜連接在一起的多個碳納米管2形成的碳納米管網絡18。

18.一種制備權利要求17所述的導電基底的方法，包括以下步驟：

在基底上形成碳納米管網絡18；以及

將所述碳納米管網絡18暴露在Ga蒸氣中以設置所述石墨膜。

19.一種制備權利要求17所述的導電基底的方法，包括以下步驟：

在基底上形成碳納米管網絡18；

在所述碳納米管網絡18上設置無定形碳膜21；以及

將所述碳納米管網絡18和在所述設置無定形碳膜21的步驟中獲得的所述無定形碳膜21暴露在Ga蒸氣中，以設置所述石墨膜。

20.權利要求18所述的制備導電基底的方法，在所述暴露步驟之前，包括對形成所述碳納米管網絡18的多個碳納米管2中的相互接觸部分進行機械壓焊的步驟。

21.一種透明導電板，由樹脂板19和設置在所述樹脂板上的導電膜形成，所述導電膜具有由通過石墨膜連接在一起的多個碳納米管2形成的碳納米管網絡18。

22.權利要求21所述的透明導電板，其中具有所述導電膜的所述樹脂板19的表面由熱固性樹脂和紫外光固化樹脂中的一者形成。